类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大12.8mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：120W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DPAK（表面贴装）

TK11350BUBX 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该MOSFET采用了先进的沟槽栅结构技术，提高了电流密度和开关性能。
　　此外，TK11350BUBX 具有较高的栅极电压耐受能力（±20V），能够在较高的电压环境下稳定工作，同时具备良好的抗过载能力和热稳定性，从而增强了器件的可靠性。
　　该器件的封装形式为DPAK，是一种表面贴装型封装，具有良好的热传导性能，适用于自动化装配工艺。这种封装还有助于减少寄生电感，提高高频开关性能。
　　TK11350BUBX 还具备快速开关特性，能够在高频条件下运行，适用于高效率的DC-DC转换器、同步整流器和电机控制电路。其快速恢复的体二极管也增强了在感性负载开关中的表现。

TK11350BUBX 主要应用于各类高功率、高效率的电力电子设备中。例如，它常用于DC-DC转换器中作为主开关元件，以提高转换效率并减小系统体积；在同步整流电路中，它可作为整流器使用，降低导通损耗，提高整流效率。
　　该器件也广泛用于电机驱动和H桥电路中，提供高电流开关能力，支持快速响应和精确控制；在电源管理系统中，如服务器电源、电信设备电源和工业电源模块中，TK11350BUBX 能够提供稳定的高电流输出和良好的热管理性能。
　　此外，它也适用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、电动汽车充电模块等新能源应用，满足对高效率和高可靠性的要求。

SiHF50N100D, IPW50N10S, FDP50N10