供电电压（VDD）：10V 至 20V
　　输出电流峰值：±350mA（典型值）
　　高边耐压（VBUS最大值）：≤600V
　　逻辑输入兼容电压：3.3V/5V/TTL/CMOS 兼容
　　传播延迟时间：典型值约 120ns
　　上升时间（tr）：典型值 35ns
　　下降时间（tf）：典型值 25ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　关断状态下的静态电流：＜1mA
　　自举二极管集成：否（需外接）
　　封装类型：SOIC-8 DIP-8 或类似小型封装

IRS23364DS的核心特性之一是其采用了高边与低边独立控制的半桥驱动架构，通过集成的电平位移技术，实现了高边驱动在浮动电源下的稳定运行。这一机制使得上桥臂MOSFET或IGBT可以在母线电压高达600V的情况下正常工作，而不会因电压差导致驱动失效。其内部逻辑电路经过优化，具备极快的信号响应速度，传播延迟短且上下桥臂之间的延迟匹配良好，从而有效减少死区时间误差，提升系统效率。该芯片还具备强大的抗干扰能力，输入端设有施密特触发器，增强了对噪声的抑制效果，确保在复杂电磁环境中依然能准确接收PWM控制信号。
　　另一个关键特性是其宽电压范围的电源适应能力，VDD供电可在10V至20V之间灵活选择，满足不同栅极驱动电压需求，尤其适合12V或15V标准驱动系统。同时，输出级采用图腾柱结构，提供高达±350mA的峰值拉灌电流，足以快速充放电MOSFET栅极电容，降低开关损耗。此外，IRS23364DS内部集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于设定阈值时会自动封锁输出，防止因驱动电压不足而导致功率管工作在线性区，避免过热损坏。
　　该器件还具备良好的热稳定性和长期可靠性，采用符合工业标准的封装工艺，支持自动化贴片生产，并能在-40°C到+125°C的宽温范围内稳定运行，适用于严苛的工业环境。虽然未集成自举二极管，但允许用户根据实际需求选用高性能外部二极管以进一步提升效率和可靠性。整体而言，IRS23364DS以其高集成度、优异的动态性能和多重保护机制，成为中小功率电力电子系统中理想的栅极驱动解决方案。

IRS23364DS广泛应用于各类需要高效、可靠驱动功率开关器件的电力电子系统中。在交流-直流或直流-交流变换器中，它常被用于驱动半桥拓扑结构中的两个IGBT或MOSFET，构成基本的功率切换单元。典型应用包括变频空调中的压缩机驱动模块，其中该芯片负责精确控制逆变桥臂，实现对电机转速的平滑调节。在光伏逆变器系统中，IRS23364DS可用于DC-AC转换阶段的初级驱动电路，配合微控制器输出的PWM信号，精准控制能量回馈电网的过程。
　　此外，在不间断电源（UPS）设备中，该芯片也发挥着重要作用，特别是在双变换在线式UPS的逆变环节，确保市电中断时仍能无缝切换至电池供电并维持稳定的正弦波输出。在工业电机驱动领域，如伺服驱动器或小功率变频器中，IRS23364DS因其响应速度快、驱动能力强，被用来驱动三相逆变桥的每一相上、下管，实现高效的矢量控制或方波驱动。
　　其他应用场景还包括开关模式电源（SMPS）、感应加热设备、电动工具电源模块以及LED大功率恒流驱动电源等。由于其具备TTL/CMOS逻辑电平兼容性，可直接连接DSP、MCU或专用PWM控制器，无需额外电平转换电路，简化了系统设计。同时，其小型化封装形式有助于缩小PCB面积，特别适合对空间敏感的应用场景，如嵌入式电源模块或便携式电力设备。总体来看，IRS23364DS凭借其高可靠性与通用性，已成为现代电力电子控制系统中不可或缺的关键组件之一。

IR2110S
　　IRS21844
　　UCC27324