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GSCT38318PG 发布时间 时间:2025/9/2 12:42:14 查看 阅读:10

GSCT38318PG是一款由Giantec Semiconductor生产的高性能功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高频率、高效率的电源转换应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统以及电机控制电路等。该MOSFET采用先进的沟槽栅极技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,能够有效降低开关损耗并提高整体系统效率。GSCT38318PG封装形式为TO-220,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):180A
  导通电阻(Rds(on)):3.8mΩ @ Vgs=10V
  功率耗散(Pd):150W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:TO-220

特性

GSCT38318PG采用先进的沟槽式MOSFET技术,显著降低了导通电阻,从而减少了导通损耗并提高了效率。其低Rds(on)特性使得在高电流应用中仍能保持较低的功率损耗,从而减少了对散热器的需求,降低了系统成本。此外,该器件具有高雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行,增强了系统的可靠性和耐用性。
  该MOSFET具备快速开关特性,适用于高频开关应用,能够有效减少开关损耗并提高系统响应速度。其高栅极电荷(Qg)优化设计,使其在驱动电路中表现出良好的动态性能,同时降低了对驱动器的负担,提升了整体系统的稳定性。
  TO-220封装具备良好的热性能和机械稳定性,适合在各种工业环境中使用。该封装形式也便于安装在散热片上,以确保在高功率操作时的散热效率。此外,该器件的封装材料符合RoHS标准,符合环保要求。

应用

GSCT38318PG广泛应用于各种电力电子系统中,尤其是在需要高电流和低导通损耗的场合。例如,它适用于开关电源(SMPS)中的主开关器件,能够在高频率下工作并保持高效能。在DC-DC转换器中,该MOSFET作为同步整流器使用,有助于提高转换效率并减少发热。此外,它还可用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制电路,提供高效、可靠的功率控制。
  在电机控制领域,GSCT38318PG可用于H桥电路中的高侧和低侧开关,支持大功率电机的高效运行。其高电流能力和低导通电阻特性使其成为电动汽车、电动工具和工业自动化设备中的理想选择。此外,该器件也适用于UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和储能系统等高功率应用,提供稳定可靠的功率开关功能。

替代型号

SiSS288N, IRF1404, NexFET CSD17579Q5B

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