类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.6A（@25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.043Ω（@Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装形式：TSOP-6

FDN340A 的核心优势在于其低导通电阻和高电流能力，这使其在电源管理和功率开关应用中表现出色。该器件的导通电阻仅为 0.043Ω，可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，FDN340A 的栅极电荷（Qg）较低，有利于实现快速开关操作，减少开关损耗。
　　其采用的 TSOP-6 封装形式不仅体积小巧，适合在高密度 PCB 设计中使用，同时具备良好的热性能，有助于器件在高负载下保持稳定运行。FDN340A 的最大漏极电流可达 5.6A，在小尺寸 MOSFET 中具有较强的电流处理能力。
　　该器件还具有良好的热稳定性和过温保护能力，适合在恶劣工作环境下使用。其栅极驱动电压范围宽泛，可在 4.5V 至 20V 之间工作，兼容多种驱动电路设计，便于与 PWM 控制器或逻辑电路配合使用。

FDN340A 主要用于以下几类应用场景：首先是 DC-DC 转换器和同步整流器，其低导通电阻和快速开关特性使其在升压、降压和升降压电路中表现出色；其次是电池管理系统，例如在笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携设备中作为负载开关或充放电控制器件；
　　此外，FDN340A 还广泛应用于电机驱动、LED 照明调光、电源管理模块以及各类工业控制系统中。由于其封装小巧且性能稳定，也适用于对空间和功耗有严格要求的设计场合。

FDN340AN, FDS6680, Si2302DS, IRF7401