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TISP7015DR-S 发布时间 时间:2025/12/28 19:00:13 查看 阅读:16

TISP7015DR-S 是由 Texas Instruments(德州仪器)生产的一款用于电路保护的瞬态电压抑制器(TVS)二极管阵列。该器件主要用于保护敏感的电子设备免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和浪涌等瞬态电压的损害。TISP7015DR-S 采用双向对称结构,适用于高速数据线路、通信接口和通用输入/输出(GPIO)等应用。该器件封装为 SOIC-8,便于在 PCB 上集成。

参数

类型:瞬态电压抑制器(TVS)二极管阵列
  通道数:1
  工作电压:70V
  钳位电压:15V(最大值)
  峰值脉冲电流:15A(8/20μs)
  响应时间:小于1ns
  漏电流:最大100nA(@ 25°C)
  封装形式:SOIC-8

特性

TISP7015DR-S 的核心特性在于其高效的瞬态电压抑制能力。该器件在遇到高电压瞬态事件时,能够迅速导通并将电压钳制在安全范围内,从而防止对后级电路的损坏。其双向对称设计使其适用于交流信号线路的保护,同时也支持直流线路的应用。
  TISP7015DR-S 的峰值脉冲电流能力为15A,符合IEC 61000-4-2 Level 4标准,适用于需要高静电放电保护等级的工业和消费类电子产品。此外,该器件的响应时间极短,通常在1纳秒以内,确保在瞬态事件发生时能立即响应。
  其低漏电流特性(最大100nA)保证了在正常工作条件下不会对系统功耗产生显著影响,适用于低功耗和高精度系统设计。TISP7015DR-S 采用 SOIC-8 封装,便于表面贴装工艺(SMT),适用于自动化生产流程。
  该器件的工作温度范围为 -40°C 至 +125°C,适合在各种环境条件下稳定运行,广泛用于工业控制、通信设备、消费电子和汽车电子等领域。

应用

TISP7015DR-S 广泛应用于需要对瞬态电压进行保护的电子系统中,包括但不限于以下领域:
  ? 通信设备:用于保护以太网接口、RS-485接口、USB接口等免受静电放电和浪涌的影响。
  ? 工业控制系统:保护PLC模块、传感器接口和现场总线通信线路。
  ? 消费电子产品:如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的高速数据线保护。
  ? 汽车电子:用于车载信息娱乐系统、ECU模块和CAN总线接口的保护。
  ? 医疗设备:保护敏感的医疗仪器接口免受外部电压干扰。
  该器件特别适用于高速信号线路的保护,因其低电容特性不会对信号完整性产生显著影响。

替代型号

TI TISP7015DRS; STMicroelectronics ESDA6V1W5B; ON Semiconductor NUP4201

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TISP7015DR-S参数

  • 制造商Bourns
  • 产品种类硅对称二端开关元件
  • 最大转折电流 IBO4 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM8 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)0.004 mA
  • 正向电压下降4 V
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SO-8
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 40 C
  • 工厂包装数量2500