PMV230ENEAR 是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频率开关应用。该器件采用先进的高压工艺技术制造,具有低导通电阻、高效率和优异的热稳定性,使其在电源管理和功率转换领域中表现出色。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大漏极电流(Id):5.6A
导通电阻(Rds(on)):0.044Ω @ Vgs=10V
栅极阈值电压(Vgs(th)):1.0V ~ 2.5V
最大功耗(Ptot):1.4W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:DFN2020-6(6引脚DFN)
输入电容(Ciss):520pF @ Vds=15V
开关时间(ton/off):10ns/18ns
PMV230ENEAR 采用先进的工艺制造,具备低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。其栅极阈值电压较低,能够在较宽的控制电压范围内稳定工作,适用于多种驱动电路配置。该器件的封装形式为 DFN2020-6,这种小型封装设计不仅节省空间,而且具有良好的热性能,适合高密度 PCB 设计。
此外,PMV230ENEAR 具有快速的开关性能,其开关时间(ton/off)分别为10ns和18ns,适用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器和负载开关。该 MOSFET 的输入电容较低(520pF),有助于减少开关过程中的能量损耗,从而提升整体系统响应速度和效率。
该器件的热稳定性优异,能够在 -55°C 至 150°C 的温度范围内可靠工作,适用于工业级和汽车电子应用。由于其高耐压能力和高电流承载能力,PMV230ENEAR 在电源管理和功率控制领域中表现突出。
PMV230ENEAR 主要用于需要高效率和小尺寸封装的电源管理系统,例如便携式电子产品中的 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统。它也适用于汽车电子系统,如车身控制模块、LED 照明驱动和车载充电器。在工业控制领域,该 MOSFET 可用于电机驱动、电源管理模块和工业自动化设备中的功率开关。此外,其高频开关特性使其适用于电源适配器、功率放大器和电源分配系统等应用。
Si2302DS, BSS138K, 2N7002K