PMV230ENEAR 时间：2025/9/14 17:46:43 阅读：42

PMV230ENEAR 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关应用。该器件采用先进的高压工艺技术制造，具有低导通电阻、高效率和优异的热稳定性，使其在电源管理和功率转换领域中表现出色。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大漏极电流（Id）：5.6A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.044Ω @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　最大功耗（Ptot）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：DFN2020-6（6引脚DFN）
　　输入电容（Ciss）：520pF @ Vds=15V
　　开关时间（ton/off）：10ns/18ns

特性

PMV230ENEAR 采用先进的工艺制造，具备低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。其栅极阈值电压较低，能够在较宽的控制电压范围内稳定工作，适用于多种驱动电路配置。该器件的封装形式为 DFN2020-6，这种小型封装设计不仅节省空间，而且具有良好的热性能，适合高密度 PCB 设计。
　　此外，PMV230ENEAR 具有快速的开关性能，其开关时间（ton/off）分别为10ns和18ns，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和负载开关。该 MOSFET 的输入电容较低（520pF），有助于减少开关过程中的能量损耗，从而提升整体系统响应速度和效率。
　　该器件的热稳定性优异，能够在 -55°C 至 150°C 的温度范围内可靠工作，适用于工业级和汽车电子应用。由于其高耐压能力和高电流承载能力，PMV230ENEAR 在电源管理和功率控制领域中表现突出。

应用

PMV230ENEAR 主要用于需要高效率和小尺寸封装的电源管理系统，例如便携式电子产品中的 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统。它也适用于汽车电子系统，如车身控制模块、LED 照明驱动和车载充电器。在工业控制领域，该 MOSFET 可用于电机驱动、电源管理模块和工业自动化设备中的功率开关。此外，其高频开关特性使其适用于电源适配器、功率放大器和电源分配系统等应用。