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PMV230ENEAR 发布时间 时间:2025/9/14 17:46:43 查看 阅读:28

PMV230ENEAR 是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频率开关应用。该器件采用先进的高压工艺技术制造,具有低导通电阻、高效率和优异的热稳定性,使其在电源管理和功率转换领域中表现出色。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大漏极电流(Id):5.6A
  导通电阻(Rds(on)):0.044Ω @ Vgs=10V
  栅极阈值电压(Vgs(th)):1.0V ~ 2.5V
  最大功耗(Ptot):1.4W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:DFN2020-6(6引脚DFN)
  输入电容(Ciss):520pF @ Vds=15V
  开关时间(ton/off):10ns/18ns

特性

PMV230ENEAR 采用先进的工艺制造,具备低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。其栅极阈值电压较低,能够在较宽的控制电压范围内稳定工作,适用于多种驱动电路配置。该器件的封装形式为 DFN2020-6,这种小型封装设计不仅节省空间,而且具有良好的热性能,适合高密度 PCB 设计。
  此外,PMV230ENEAR 具有快速的开关性能,其开关时间(ton/off)分别为10ns和18ns,适用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器和负载开关。该 MOSFET 的输入电容较低(520pF),有助于减少开关过程中的能量损耗,从而提升整体系统响应速度和效率。
  该器件的热稳定性优异,能够在 -55°C 至 150°C 的温度范围内可靠工作,适用于工业级和汽车电子应用。由于其高耐压能力和高电流承载能力,PMV230ENEAR 在电源管理和功率控制领域中表现突出。

应用

PMV230ENEAR 主要用于需要高效率和小尺寸封装的电源管理系统,例如便携式电子产品中的 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统。它也适用于汽车电子系统,如车身控制模块、LED 照明驱动和车载充电器。在工业控制领域,该 MOSFET 可用于电机驱动、电源管理模块和工业自动化设备中的功率开关。此外,其高频开关特性使其适用于电源适配器、功率放大器和电源分配系统等应用。

替代型号

Si2302DS, BSS138K, 2N7002K

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PMV230ENEAR参数

  • 现有数量10,616现货
  • 价格1 : ¥3.50000剪切带(CT)3,000 : ¥0.65110卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)222 毫欧 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)4.8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)177 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)480mW(Ta),1.45W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-236AB
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3