TISP5070H3BJ 时间：2025/12/28 22:17:53 阅读：9

TISP5070H3BJ是一款由STMicroelectronics制造的双线双向电压抑制二极管（TVS），专门设计用于保护敏感的电子设备免受静电放电（ESD）、浪涌和过电压事件的影响。该器件采用SOT-23封装，具有较小的封装尺寸，适合在空间受限的应用中使用。TISP5070H3BJ能够提供高水平的电路保护，同时保持较低的钳位电压，以确保受保护设备的安全性和可靠性。

参数

类型：双向TVS二极管
　　工作电压：5V
　　击穿电压：6.4V（最小）
　　钳位电压：14.8V（最大）
　　峰值脉冲电流（IPP）：10A
　　反向漏电流（IR）：100nA（最大）
　　电容：25pF（典型）
　　封装：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

TISP5070H3BJ具备一系列优异的特性，使其成为理想的电路保护器件。首先，其双向特性使其能够有效应对正负方向的瞬态电压事件，适用于差分信号线路的保护。其次，该器件的钳位电压较低，能够在发生ESD或浪涌事件时迅速将电压限制在安全范围内，从而减少对后级电路的损害。
　　此外，TISP5070H3BJ的响应时间非常快，通常在皮秒级别，确保在瞬态事件发生的瞬间即可启动保护机制。其低电容特性（25pF）也使其适用于高速数据线路的保护，不会对信号完整性造成显著影响。同时，该器件具有较高的峰值脉冲电流承受能力（10A），能够在短时间内吸收较大的瞬态能量。
　　由于其采用SOT-23封装，TISP5070H3BJ在PCB布局上占用的空间非常小，非常适合便携式设备和高密度电子系统。该器件还符合IEC 61000-4-2标准，能够承受高达±30kV的空气放电和±30kV的接触放电，具有出色的抗静电能力。

应用

TISP5070H3BJ广泛应用于需要高水平电路保护的电子设备中。典型应用场景包括USB接口、HDMI接口、以太网端口等高速数据通信线路的保护。此外，该器件也可用于保护微控制器、FPGA、通信模块等对静电和瞬态电压敏感的半导体器件。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备，TISP5070H3BJ常用于保护外部接口免受静电放电的影响。在工业控制系统中，它可以保护PLC、传感器和通信模块免受雷击浪涌和操作瞬变的影响。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载娱乐系统、车身控制模块和车载通信设备，以确保车辆电子系统的可靠运行。