BC850BW,135 是一款由NXP Semiconductors生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件广泛应用于低功率放大、开关电路以及通用逻辑电路中。BC850BW,135采用SOT-323(SC-70)小型封装,适合在空间受限的电路设计中使用,例如便携式电子产品、消费类电子设备和工业控制系统。该晶体管具有良好的电气性能和热稳定性,适用于需要中等电流和电压处理能力的应用场景。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):100mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30V
最大集电极-基极电压(Vcb):30V
最大功耗(Ptot):300mW
电流增益(hFE):110至800(根据不同等级)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:SOT-323(SC-70)
BC850BW,135晶体管具备多种优良特性,使其在众多电子电路中表现出色。首先,该晶体管的最大集电极电流可达100mA,能够满足中等功率应用的需求。同时,其集电极-发射极和集电极-基极的击穿电压均为30V,这意味着该器件可以在相对较高的电压环境下稳定工作,具备良好的耐压能力。此外,BC850BW,135的最大功耗为300mW,结合其小型SOT-323封装,具有较好的热管理性能,能够在有限的散热条件下维持稳定运行。该晶体管的电流增益(hFE)范围较广,从110到800不等,具体取决于等级(如BC850BW-25、BC850BW-40等),使得用户可以根据具体应用需求选择合适的增益等级。这种灵活性使其适用于放大电路和开关电路等多种场景。此外,BC850BW,135具有较宽的工作温度范围(-55°C至+150°C),可在各种环境条件下保持稳定性能,适合用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子系统。
BC850BW,135晶体管广泛应用于多个领域,包括但不限于以下场景:在数字电路中作为开关元件,用于控制LED、继电器、小型电机等负载;在模拟电路中作为放大器,用于音频信号或传感器信号的前置放大;在电源管理电路中用于电流调节和稳压控制;在通信设备中用于信号处理和调制解调;在消费类电子产品中用于逻辑控制和接口电路。此外,由于其小型化封装,BC850BW,135特别适合用于高密度PCB布局设计,例如智能手机、平板电脑、穿戴式设备和物联网(IoT)终端。
BC847, BC848, 2N3904, MMBT3904, 2N2222