SEMIX253GD126HDC 是由赛米控(SEMIKRON)生产的一款高性能IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于电力电子领域。该模块采用了先进的芯片技术和封装设计,具有优异的电气性能和热管理能力,适用于高功率密度和高可靠性要求的场合。
类型:IGBT模块
集电极-发射极电压(VCES):1200V
额定集电极电流(IC):253A
短路电流能力:600A(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:双列直插式(Dual)
导通压降(VCE_sat):约2.45V(在IC=253A时)
开关损耗:典型值Eon=1.9mJ,Eoff=1.4mJ(在25°C)
隔离电压:2500VRMS(1分钟)
安装方式:螺钉安装
重量:约160g
SEMIX253GD126HDC 模块采用了赛米控的SKiN封装技术,该技术通过多层柔性绝缘材料替代传统的焊接层,显著降低了模块内部的热阻和机械应力,从而提高了模块的热循环寿命和可靠性。模块内部集成两个IGBT芯片和相应的反并联二极管,构成典型的双管结构,适用于逆变器拓扑结构。
该模块的导通压降较低,有助于减少导通损耗,提高系统效率。同时,其开关损耗也经过优化,适用于高频开关应用。模块的封装设计具有良好的绝缘性能和抗湿热能力,适用于各种严苛的工业环境。
此外,SEMIX253GD126HDC 还具备出色的短路耐受能力,能够在短时间内承受较高的短路电流,从而提高系统的稳定性和安全性。模块的引脚布局设计合理,便于安装和散热器连接,降低了系统设计的复杂度。
该模块广泛应用于工业电机驱动、可再生能源系统(如光伏逆变器和风力发电变流器)、电动汽车充电设备、轨道交通牵引系统以及不间断电源(UPS)等领域。其高功率密度和高可靠性使其成为高性能电力电子系统的理想选择。
SEMIX253GB126HDC, SEMIX253GE126HDC