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TISP4180J1BJR-S 发布时间 时间:2025/12/29 10:20:50 查看 阅读:21

TISP4180J1BJR-S 是由 STMicroelectronics 生产的一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、浪涌电流和其他瞬态电压的损害。该器件采用紧凑的SOD-882封装,适用于各种便携式电子设备和高密度电路设计。

参数

工作电压:5.0 V
  最大反向关断电压:4.8 V
  钳位电压(最大):12.8 V
  峰值脉冲电流(8/20μs):20 A
  漏电流(最大):100 nA
  工作温度范围:-55°C 至 150°C

特性

TISP4180J1BJR-S 具有优异的瞬态电压保护性能,能够在极短时间内响应电压突变,有效保护下游电路。其双向特性使其适用于正负电压波动的场景,如USB接口、HDMI端口和无线通信模块。此外,该器件具有低电容特性,确保信号完整性不受影响,适合高速数据传输应用。
  该TVS二极管采用先进的硅半导体技术制造,确保高可靠性和长寿命。其紧凑的SOD-882封装不仅节省空间,还便于在高密度PCB设计中使用。器件的低钳位电压和快速响应时间使其在面对ESD事件时能够提供最佳保护,符合IEC 61000-4-2标准,适用于工业、消费电子和汽车电子等多个领域。

应用

TISP4180J1BJR-S 广泛应用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,用于保护USB、HDMI、DisplayPort等高速接口免受静电和浪涌损害。此外,它也可用于电源管理电路、传感器接口和通信模块的保护,适用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品。

替代型号

SMBJ5.0A, ESDA6V1W5B, PESD5V0S1BA

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TISP4180J1BJR-S参数

  • 制造商Bourns
  • 产品种类硅对称二端开关元件
  • 最大转折电流 IBO100 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM145 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)0.005 mA
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DO-214AA
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 40 C
  • 工厂包装数量3000