时间：2025/12/27 19:02:56
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TISP4115J3BJ是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的瞬态电压抑制二极管阵列器件，主要用于保护敏感电子电路免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）以及雷击感应等瞬态过电压的损害。该器件属于其TISP系列中的低电容、高性能保护元件，采用SOD-882封装，具有体积小、响应速度快、可靠性高等特点，广泛应用于通信接口、便携式设备和工业控制系统中。TISP4115J3BJ通过将多个TVS二极管集成在一个紧凑的封装内，能够在不影响信号完整性的前提下提供高效的双向过压保护。其设计符合IEC 61000-4-2和IEC 61000-4-5等国际电磁兼容性标准，适用于需要高抗扰度的终端设备。
TISP4115J3BJ特别适合用于高速数据线路的保护，例如USB、HDMI、RS-232、CAN总线以及其他模拟或数字I/O端口。由于其低动态电阻和极低的钳位电压特性，即使在大电流瞬态事件下也能有效限制电压上升，从而防止后级IC因过压而损坏。此外，该器件具备良好的热稳定性和长期可靠性，能够在严苛的工作环境中保持稳定的性能表现。
类型：瞬态电压抑制二极管阵列
通道数：4通道
工作电压（VRWM）：15V
击穿电压（VBR）：16.7V（最大值）
钳位电压（VC）：24.4V @ IPP = 1A
峰值脉冲电流（IPP）：1.5A（单次8/20μs浪涌）
寄生电容（Cj）：典型值为15pF（每通道）
封装形式：SOD-882（SC-109A）
极性：双向
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
符合标准：IEC 61000-4-2（ESD ±15kV空气/±8kV接触）；IEC 61000-4-5（浪涌）；ISO 10605
TISP4115J3BJ的核心特性在于其出色的瞬态抑制能力和对高速信号路径的最小干扰。每个通道均采用双向TVS结构设计，能够同时应对正负方向的瞬态电压冲击，这使得它非常适合用于差分信号线或可能承受反向电压的应用场景。其低寄生电容（典型值仅为15pF）确保了在高频信号传输过程中不会引入明显的信号衰减或失真，因此可安全地用于高达数百兆赫兹的数据速率环境，如USB 2.0全速/高速接口、音频线路或传感器信号调理电路。
该器件具有非常快的响应时间（亚纳秒级别），一旦检测到超过击穿电压的瞬态电压，能立即导通并将多余能量泄放到地，从而将钳位电压控制在安全范围内（24.4V以内，当IPP=1A时）。这种低钳位电压能力显著降低了下游集成电路承受的压力，提高了系统整体的鲁棒性。此外，TISP4115J3BJ的1.5A峰值脉冲电流承载能力足以应对大多数常见的ESD和EFT事件，在多次重复冲击下仍能保持性能稳定，展现出优异的耐久性和自恢复特性。
从制造工艺上看，TISP4115J3BJ采用先进的半导体晶圆级封装技术，不仅实现了小型化（SOD-882封装尺寸约为1.0mm x 1.6mm x 0.6mm），还增强了热传导效率和机械强度。这种封装方式便于自动化贴装，适用于现代高密度PCB布局需求。同时，器件符合RoHS环保要求，并支持无铅焊接工艺，满足当前主流电子产品绿色生产的规范。其宽泛的工作温度范围（-40°C至+125°C）也使其能在极端气候条件下可靠运行，适用于汽车电子、户外通信设备等严酷应用场合。
TISP4115J3BJ广泛应用于各类需要高水平电磁干扰防护的电子系统中。典型应用场景包括消费类电子产品中的USB端口保护，尤其是在智能手机、平板电脑、移动电源等设备中，用于防范用户插拔过程中的静电放电风险。此外，该器件也常被部署于工业自动化领域的通信接口保护，例如RS-485、CAN总线或Ethernet PHY前端，以抵御工厂环境中频繁出现的电感负载切换引起的电气快速瞬变（EFT）。
在汽车电子系统中，TISP4115J3BJ可用于车载信息娱乐系统的音视频接口、诊断接口（OBD-II）或车身控制模块的I/O线路保护。尽管其额定功率不适用于直接连接电池主干线，但在低功率信号路径上仍能发挥重要作用，提升整车EMC性能。另外，在医疗设备、测试仪器和智能家居控制器中，该器件有助于通过严格的安规认证（如CE、FCC），因为它能有效抑制外部干扰导致的误动作或数据错误。
得益于其四通道集成设计，TISP4115J3BJ还能简化PCB布线复杂度，减少所需保护元件的数量，从而节省空间并降低物料成本。例如，在一个四路模拟输入采集系统中，只需一颗TISP4115J3BJ即可完成全部通道的共模与差模过压保护，无需额外配置分立TVS管或压敏电阻。这种集成化解决方案尤其适合追求小型化和高可靠性的嵌入式系统设计。
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"SP1503BAHE3/LLM",
"RCLAMP0524P",
"SM712-01FTG",
"TPD4EUSB30DPYR"
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