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FGD3245G2-F085C 发布时间 时间:2025/5/8 14:51:36 查看 阅读:23

FGD3245G2-F085C 是一款高性能的场效应晶体管(FET)驱动芯片,专为高功率开关应用设计。该芯片能够有效驱动N沟道或P沟道MOSFET和IGBT,提供快速且准确的开关控制。其内置保护功能确保了在复杂环境下的稳定运行,同时优化了效率与可靠性。
  FGD3245G2-F085C 芯片广泛应用于电机驱动、电源转换器以及工业自动化设备中,特别适合需要高电流驱动能力和低功耗特性的场景。

参数

最大输出电流:5A
  工作电压范围:10V 至 25V
  通道数:双通道
  传播延迟:50ns
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:SOIC-8
  输入兼容性:TTL/CMOS

特性

FGD3245G2-F085C 的主要特性包括:
  1. 高峰值输出电流能力,适用于大功率MOSFET和IGBT的驱动。
  2. 内置死区时间控制,防止直通电流导致的损坏。
  3. 提供欠压锁定保护(UVLO),避免低压条件下的不稳定运行。
  4. 快速响应时间,减少开关损耗并提高系统效率。
  5. 支持多种逻辑电平输入,简化与不同控制器的接口设计。
  6. 具备短路保护和热关断功能,增强系统的安全性和可靠性。

应用

FGD3245G2-F085C 在以下领域有广泛应用:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动器
  3. 工业逆变器
  4. 太阳能微逆变器
  5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制
  6. LED照明驱动电路
  7. 各种需要高效功率转换的应用场景

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FGD3245G2-F085C参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥18.44000剪切带(CT)2,500 : ¥8.43666卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)450 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)23 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)-
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)1.25V @ 4V,6A
  • 功率 - 最大值150 W
  • 开关能量-
  • 输入类型逻辑
  • 栅极电荷23 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值0.9μs/5.4μs
  • 测试条件300V,6.5A,1000 欧姆,5V
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 工作温度-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • 供应商器件封装D-PAK(TO-252)