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TISP4040H1BJR-S 发布时间 时间:2025/12/28 21:49:49 查看 阅读:20

TISP4040H1BJR-S 是由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的一款双向电压抑制二极管(TVS - Transient Voltage Suppressor),专为保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和浪涌电流等瞬态电压危害而设计。该器件采用SOT-23-5封装,适用于各种需要高可靠性和低电容保护的应用场合,特别是在数据线路和通信接口中。

参数

工作电压:40 V
  击穿电压:44.5 V(最小值)
  最大钳位电压:65.8 V(在Ipp=1 A时)
  峰值脉冲电流(Ipp):1 A(8/20 μs波形)
  反向漏电流(IR):最大100 nA(在VR=40 V时)
  电容(C):典型值 2.5 pF(在f=1 MHz时)
  封装:SOT-23-5

特性

TISP4040H1BJR-S 具有卓越的瞬态电压保护性能,能够在极短的时间内响应并吸收高能量的瞬态电压脉冲,从而防止这些电压对下游电子元件造成损害。其双向保护结构使其能够适用于正负电压波动的场景,特别适合用于保护双极性信号线路。此外,该器件的低结电容(通常为2.5 pF)使其非常适合用于高速数据线路的保护,不会显著影响信号完整性。由于其SOT-23-5的小型封装设计,TISP4040H1BJR-S非常适合空间受限的PCB布局,同时具备良好的散热性能以确保长期稳定性。该器件符合IEC 61000-4-2标准,提供高达±30 kV的接触放电保护能力,适用于工业和消费类电子设备中的关键保护节点。
  TISP4040H1BJR-S的另一个显著优势是其低钳位电压特性,能够在瞬态事件中将电压限制在安全范围内,从而减少对后级电路的压力。其1A的峰值脉冲电流能力足以应对大多数常见的ESD和EFT干扰,同时具备较强的抗浪涌能力。器件的反向漏电流极低,在正常工作条件下几乎不会对系统功耗造成影响。此外,该TVS二极管具备高可靠性和长寿命,适合在严苛环境中使用,如工业控制系统、汽车电子、通信设备以及便携式电子产品。由于其广泛的应用兼容性和良好的电气特性,TISP4040H1BJR-S被广泛用于保护USB接口、HDMI线路、以太网端口以及其他高速通信接口。

应用

TISP4040H1BJR-S 主要用于需要高水平瞬态电压保护的电子系统中。其典型应用包括但不限于:高速通信接口(如USB 2.0、HDMI、RS-485)的静电放电保护;工业自动化设备中的信号线和控制线保护;汽车电子系统中的CAN总线或LIN总线保护;消费类电子产品(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的输入/输出端口保护;以及各类传感器接口的瞬态电压抑制。由于其低电容和快速响应时间,该器件也常用于保护射频前端模块和天线线路。

替代型号

PESD5V0S1BA; SP1012-04ST; TPD3E081-Q1; NUP4116

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TISP4040H1BJR-S参数

  • 制造商Bourns
  • 产品种类硅对称二端开关元件
  • 最大转折电流 IBO50 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM25 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)0.005 mA
  • 正向电压下降3 V
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DO-214AA
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 40 C
  • 工厂包装数量3000