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PL50N06BGD5 发布时间 时间:2025/5/29 22:01:48 查看 阅读:7

PL50N06BGD5 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于多种高效能开关应用。该器件采用 TO-252 封装形式,具有低导通电阻和高电流承载能力的特性,适合用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。
  这款 MOSFET 的设计使其能够在高频开关条件下保持较低的功耗,并且其封装形式非常适合表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和提高电路板空间利用率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:18mΩ
  栅极电荷:37nC
  总电容:490pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

PL50N06BGD5 具有以下主要特性:
  1. 高电流处理能力:支持高达 50A 的连续漏极电流,确保在大功率应用中稳定运行。
  2. 低导通电阻:仅为 18mΩ,能够有效降低导通损耗并提升整体效率。
  3. 快速开关性能:较小的栅极电荷(37nC)使得该器件能够在高频应用中表现出色。
  4. 耐热增强封装:TO-252 封装提供良好的散热性能,进一步提高了器件的可靠性。
  5. 宽工作温度范围:从 -55℃ 到 +150℃ 的操作范围使其适应各种恶劣环境条件。
  6. 符合 RoHS 标准:环保材料选择满足国际法规要求。

应用

PL50N06BGD5 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS):包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
  2. 电机驱动:如无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他工业电机控制。
  3. 负载切换:电池管理系统(BMS)、汽车电子中的负载切换。
  4. 过流保护电路:用作电子保险丝或限流元件。
  5. 逆变器:光伏逆变器、UPS 系统中的关键功率开关组件。

替代型号

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP5500
  AO3400

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