时间：2025/5/29 22:01:48
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PL50N06BGD5 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于多种高效能开关应用。该器件采用 TO-252 封装形式，具有低导通电阻和高电流承载能力的特性，适合用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。
这款 MOSFET 的设计使其能够在高频开关条件下保持较低的功耗，并且其封装形式非常适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和提高电路板空间利用率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：50A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：37nC
总电容：490pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
PL50N06BGD5 具有以下主要特性：
1. 高电流处理能力：支持高达 50A 的连续漏极电流，确保在大功率应用中稳定运行。
2. 低导通电阻：仅为 18mΩ，能够有效降低导通损耗并提升整体效率。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷（37nC）使得该器件能够在高频应用中表现出色。
4. 耐热增强封装：TO-252 封装提供良好的散热性能，进一步提高了器件的可靠性。
5. 宽工作温度范围：从 -55℃ 到 +150℃ 的操作范围使其适应各种恶劣环境条件。
6. 符合 RoHS 标准：环保材料选择满足国际法规要求。
PL50N06BGD5 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）：包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动：如无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他工业电机控制。
3. 负载切换：电池管理系统（BMS）、汽车电子中的负载切换。
4. 过流保护电路：用作电子保险丝或限流元件。
5. 逆变器：光伏逆变器、UPS 系统中的关键功率开关组件。
IRF540N
STP55NF06L
FDP5500
AO3400
