时间：2025/9/6 15:09:16
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HP31H472MCXWPEC 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件设计用于高效能、低导通电阻和快速开关应用，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等场景。HP31H472MCXWPEC 采用先进的沟槽技术，以提供卓越的 RDS(on) 性能，并在高电流条件下保持稳定。其封装形式为 PowerPAK SO-8，具有良好的热管理和小型化优势，适用于高密度 PCB 设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds：30V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏极电流 Id：110A
最大脉冲漏极电流 Idm：360A
导通电阻 RDS(on)：0.47mΩ @ Vgs=10V
功率耗散 Pd：100W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：PowerPAK SO-8
HP31H472MCXWPEC 以其优异的导通电阻（RDS(on)）性能著称，在 10V 栅极驱动下，其导通电阻仅为 0.47mΩ，这使得在大电流应用中能显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用了 Vishay 的沟槽式 MOSFET 技术，确保了在高温和高电流条件下仍能保持稳定的性能。其 PowerPAK SO-8 封装形式不仅提供了良好的散热能力，还支持紧凑的 PCB 布局，适用于空间受限的设计。
此外，HP31H472MCXWPEC 具有较高的电流承受能力，在连续漏极电流下可达到 110A，且在脉冲条件下最高可达 360A，使其适用于需要瞬态高电流负载的场合。其栅极驱动电压范围宽泛，支持标准逻辑电平控制，便于与各类驱动电路兼容。该器件还具备良好的热稳定性，其最大功率耗散为 100W，确保在恶劣工作条件下仍能稳定运行。
在可靠性方面，HP31H472MCXWPEC 设计用于高耐久性应用场景，其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应各种工业和汽车电子环境。该器件的栅极氧化层经过优化设计，具备较强的抗静电能力和长期可靠性，适用于要求高稳定性的系统。
HP31H472MCXWPEC 适用于多种高效率电源管理场景，例如同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）、电源分配系统以及工业自动化设备中的功率控制部分。其高电流能力和低导通电阻也使其成为汽车电子系统（如车载充电器、电动助力转向系统）中的理想选择。此外，该器件还可用于服务器电源、UPS（不间断电源）以及电信设备中的功率模块设计。
SiS6260, IRF6723, SQJQ160EL, BSC127N03MS
