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HP31H472MCXWPEC 发布时间 时间:2025/9/6 15:09:16 查看 阅读:8

HP31H472MCXWPEC 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款器件设计用于高效能、低导通电阻和快速开关应用,广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等场景。HP31H472MCXWPEC 采用先进的沟槽技术,以提供卓越的 RDS(on) 性能,并在高电流条件下保持稳定。其封装形式为 PowerPAK SO-8,具有良好的热管理和小型化优势,适用于高密度 PCB 设计。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压 Vds:30V
  最大栅源电压 Vgs:±20V
  最大连续漏极电流 Id:110A
  最大脉冲漏极电流 Idm:360A
  导通电阻 RDS(on):0.47mΩ @ Vgs=10V
  功率耗散 Pd:100W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:PowerPAK SO-8

特性

HP31H472MCXWPEC 以其优异的导通电阻(RDS(on))性能著称,在 10V 栅极驱动下,其导通电阻仅为 0.47mΩ,这使得在大电流应用中能显著降低功率损耗,提高系统效率。该器件采用了 Vishay 的沟槽式 MOSFET 技术,确保了在高温和高电流条件下仍能保持稳定的性能。其 PowerPAK SO-8 封装形式不仅提供了良好的散热能力,还支持紧凑的 PCB 布局,适用于空间受限的设计。
  此外,HP31H472MCXWPEC 具有较高的电流承受能力,在连续漏极电流下可达到 110A,且在脉冲条件下最高可达 360A,使其适用于需要瞬态高电流负载的场合。其栅极驱动电压范围宽泛,支持标准逻辑电平控制,便于与各类驱动电路兼容。该器件还具备良好的热稳定性,其最大功率耗散为 100W,确保在恶劣工作条件下仍能稳定运行。
  在可靠性方面,HP31H472MCXWPEC 设计用于高耐久性应用场景,其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适应各种工业和汽车电子环境。该器件的栅极氧化层经过优化设计,具备较强的抗静电能力和长期可靠性,适用于要求高稳定性的系统。

应用

HP31H472MCXWPEC 适用于多种高效率电源管理场景,例如同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统(BMS)、电源分配系统以及工业自动化设备中的功率控制部分。其高电流能力和低导通电阻也使其成为汽车电子系统(如车载充电器、电动助力转向系统)中的理想选择。此外,该器件还可用于服务器电源、UPS(不间断电源)以及电信设备中的功率模块设计。

替代型号

SiS6260, IRF6723, SQJQ160EL, BSC127N03MS

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