PBSS4021SPN 时间：2025/7/7 14:51:06 阅读：17

PBSS4021SPN是一种高性能的NMOS功率晶体管，采用SOT-23封装。该器件专为低电压应用而设计，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性。其典型应用场景包括负载开关、电源管理电路、便携式设备中的电池管理以及信号切换等。该器件因其小型化和高效能特点，在消费电子和工业领域中得到了广泛应用。
　　这种MOSFET支持大电流连续输出，并且具备出色的热稳定性，能够在高频率条件下保持高效的性能。

参数

最大漏源电压(Vdss)：20V
　　最大栅源电压(Vgs)：±8V
　　连续漏极电流(Id)：2.1A
　　脉冲漏极电流(Ip)：4.2A
　　导通电阻(Rds(on))：65mΩ
　　功耗(Ptot)：420mW
　　工作温度范围(Ta)：-55℃ to +150℃
　　封装类型：SOT-23

特性

PBSS4021SPN具备以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提升效率。
　　2. 高速开关能力，适用于高频电路。
　　3. 小型化的SOT-23封装，节省PCB空间。
　　4. 良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
　　5. 提供较高的电流承载能力，满足多种负载需求。
　　6. 宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
　　7. 具备静电防护功能，增强产品可靠性。

应用

PBSS4021SPN广泛应用于以下领域类电子产品中的电源管理和电池充电电路。
　　2. 工业控制中的信号切换和负载驱动。
　　3. 便携式设备中的电源开关和保护电路。
　　4. 开关模式电源(SMPS)及DC-DC转换器中的同步整流。
　　5. 数据通信设备中的信号切换与保护。
　　6. 各种低压大电流的应用场景，例如电机驱动和LED照明。