时间：2024/3/26 17:05:48
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IR2109SPBF是高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高IR21094 IR2109包IR2109(4) (S)和(PbF)数据表编号。
专为自举操作设计的浮动通道
完全运行时的电压高达 600V
容许负瞬态电压高
不受 dV/dt 影响
栅极驱动供电电压范围：10 至 20V
双通道欠压锁定
3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容
防止交叉传导逻辑
双通道的匹配传播延迟
高边输出与 IN 输入同相
逻辑和电源接地 + /- 5 V 偏移
内部死区时间为 540ns
较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性
关断输入将关闭两个通道
· 电源
· 工业加热和焊接
· 家用电器
· 伺服电机
品牌：Infineon(英飞凌）
封装：8-SOIC
电压-供电：10V~20V
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
基本产品编号：IR2109：HTSUS：8542.39.0001
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N沟道MOSFET
逻辑电压-VIL，VIH：0.8V，2.9V
电流-峰值输出（灌入，拉出）：200mA，350mA
输入类型：非反相
上升/下降时间（典型值）：150ns，50ns
高压侧电压-最大值（自举）：600V
产品应用：汽车级
湿气敏感性等级(MSL)：2（1年）
REACH状态：非REACH产品
ECCN：EAR99
IR2109SPBF原理图
IR2109SPBF引脚图
IR2109SPBF封装
