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IR2109SPBF 发布时间 时间:2024/3/26 17:05:48 查看 阅读:239

IR2109SPBF是高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高IR21094 IR2109包IR2109(4) (S)和(PbF)数据表编号。

基础介绍

  厂商型号:IR2109SPBF

  品牌名称:Infineon(英飞凌)

  元件类别:栅极驱动IC

  封装规格:8-SOIC

  型号介绍:高速功率MOSFET

特点

  专为自举操作设计的浮动通道

  完全运行时的电压高达 600V

  容许负瞬态电压高

  不受 dV/dt 影响

  栅极驱动供电电压范围:10 至 20V

  双通道欠压锁定

  3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容

  防止交叉传导逻辑

  双通道的匹配传播延迟

  高边输出与 IN 输入同相

  逻辑和电源接地 + /- 5 V 偏移

  内部死区时间为 540ns

  较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性

  关断输入将关闭两个通道

应用领域

  · 电源

  · 工业加热和焊接

  · 家用电器

  · 伺服电机

中文参数

  商品分类:栅极驱动IC

  品牌:Infineon(英飞凌)

  封装:8-SOIC

  电压-供电:10V~20V

  工作温度:-40°C~150°C(TJ)

  安装类型:表面贴装型

  基本产品编号:IR2109:HTSUS:8542.39.0001

  驱动配置:半桥

  通道类型:同步

  驱动器数:2

  栅极类型:IGBT,N沟道MOSFET

  逻辑电压-VIL,VIH:0.8V,2.9V

  电流-峰值输出(灌入,拉出):200mA,350mA

  输入类型:非反相

  上升/下降时间(典型值):150ns,50ns

  高压侧电压-最大值(自举):600V

  产品应用:汽车级

环境与出口分类

  RoHS状态:符合ROHS3规范

  湿气敏感性等级(MSL):2(1年)

  REACH状态:非REACH产品

  ECCN:EAR99

原理图

IR2109SPBF原理图

IR2109SPBF原理图

引脚

IR2109SPBF原理图

IR2109SPBF引脚图

封装

IR2109SPBF封装图

IR2109SPBF封装

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IR2109SPBF图片

IR2109SPBF

IR2109SPBF参数

  • 标准包装95
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置半桥
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间750ns
  • 电流 - 峰200mA
  • 配置数1
  • 输出数2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)600V
  • 电源电压10 V ~ 20 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装管件