IR2109SPBF是高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高IR21094 IR2109包IR2109(4) (S)和(PbF)数据表编号。
专为自举操作设计的浮动通道
完全运行时的电压高达 600V
容许负瞬态电压高
不受 dV/dt 影响
栅极驱动供电电压范围:10 至 20V
双通道欠压锁定
3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容
防止交叉传导逻辑
双通道的匹配传播延迟
高边输出与 IN 输入同相
逻辑和电源接地 + /- 5 V 偏移
内部死区时间为 540ns
较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性
关断输入将关闭两个通道
· 电源
· 工业加热和焊接
· 家用电器
· 伺服电机
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:8-SOIC
电压-供电:10V~20V
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
基本产品编号:IR2109:HTSUS:8542.39.0001
驱动配置:半桥
通道类型:同步
驱动器数:2
栅极类型:IGBT,N沟道MOSFET
逻辑电压-VIL,VIH:0.8V,2.9V
电流-峰值输出(灌入,拉出):200mA,350mA
输入类型:非反相
上升/下降时间(典型值):150ns,50ns
高压侧电压-最大值(自举):600V
产品应用:汽车级
湿气敏感性等级(MSL):2(1年)
REACH状态:非REACH产品
ECCN:EAR99
IR2109SPBF原理图
IR2109SPBF引脚图
IR2109SPBF封装