您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1206A330GBEBT31G

GA1206A330GBEBT31G 发布时间 时间:2025/6/30 13:47:39 查看 阅读:7

GA1206A330GBEBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等高效率功率转换应用。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,从而实现更高的系统效率和更低的功耗。
  该型号隶属于某知名功率器件系列,广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子领域。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):33A
  导通电阻(Rds(on)):3.3mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):180W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206A330GBEBT31G具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关性能,能够有效降低开关损耗,特别适合高频应用环境。
  3. 高雪崩能量能力,确保在异常工作条件下具有良好的鲁棒性。
  4. 内置ESD保护功能,提高了器件的抗静电能力。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  6. 支持大电流连续输出,满足高功率应用场景的需求。
  7. 良好的热稳定性,即使在极端温度下也能保持稳定性能。

应用

该芯片适用于多种功率转换和控制场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或升压/降压开关。
  3. 电机驱动电路中的功率开关。
  4. 太阳能逆变器及其他可再生能源系统的功率管理模块。
  5. 汽车电子系统中的负载切换与控制。
  6. 工业设备中需要高效率、大电流处理能力的应用场景。

替代型号

GA1206A350GBEBT31G, IRF3710, FDP55N06L

GA1206A330GBEBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容33 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-