时间：2025/7/10 17:25:49
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STR2N2VH5 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于需要高效能和低功耗的开关应用。该器件采用 TO-220 封装，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于多种工业和消费类电子设备中的电源管理电路。
该芯片通过优化设计，能够在高频开关条件下保持较低的损耗，同时提供稳定的性能表现。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：12A
导通电阻：4.3mΩ（典型值）
总功耗：135W
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
STR2N2VH5 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效减少传导损耗。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐受性。
3. 快速开关速度，适合高频应用环境。
4. 提供出色的热性能，确保长期稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 具备较高的电流处理能力，适用于大功率负载场景。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率控制。
3. 照明系统，如 LED 驱动器。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
6. 各种需要高效功率转换的消费类电子产品中。
STR2N2VH6, STR2N2VH7, IRFZ44N
