型号：TISP3115T3BJ
　　制造商：STMicroelectronics
　　封装类型：SOT-23-6
　　通道数：4通道
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　峰值脉冲电流（Ipp）：2A（8/20μs波形）
　　反向截止电压（VRWM）：15V
　　击穿电压（VBR）：最大17V（最小16.5V）
　　钳位电压（VC）：24V（在Ipp=2A条件下）
　　寄生电容（典型值）：15pF（每通道）
　　ESD耐受能力：±15kV（接触放电，IEC 61000-4-2 Level 4）
　　响应时间：小于1ns
　　极性配置：双向保护（部分通道可支持单向）
　　功率耗散能力：350W（峰值脉冲功率，8/20μs）

TISP3115T3BJ的核心特性之一是其高效的瞬态电压抑制能力，能够在纳秒级时间内响应电压突变，迅速将过电压钳制在安全范围内，从而有效防止下游集成电路因高压冲击而损坏。该器件采用集成化的TVS二极管阵列结构，四个独立的保护通道可根据应用需求灵活配置为不同的信号线路保护方案，特别适合用于高速数据接口如USB、RS-232、RS-485、CAN总线等场合。每个通道具有低至15pF的寄生电容，这一特性极大地减少了对信号完整性的干扰，使得器件能够在高频信号传输路径中保持优异的电气性能。
　　另一个关键优势是其双向击穿特性与稳定的钳位行为。当外部出现正向或负向的瞬态浪涌时，TISP3115T3BJ都能以对称的方式进行钳位，避免信号线上出现不对称失真。其钳位电压在2A的峰值脉冲电流下仅为24V，确保了后级电路即使在严酷的雷击或感应浪涌环境下也能维持正常工作。此外，该器件具备高达±15kV的ESD防护等级（依据IEC 61000-4-2标准），满足工业级和消费类电子产品对于抗干扰能力的严格要求。
　　从可靠性角度来看，TISP3115T3BJ采用了成熟的半导体工艺和高可靠性的封装技术，能够在-40°C到+125°C的宽温度范围内长期稳定运行，适应各种复杂的工作环境。其SOT-23-6封装不仅节省空间，还支持自动化贴片生产，提升了制造效率。同时，器件无铅、符合RoHS指令，体现了绿色环保设计理念。整体而言，TISP3115T3BJ是一款高性能、多功能、易于集成的瞬态保护解决方案，尤其适用于需要多重信号线保护且对体积和功耗有严格要求的应用场景。

TISP3115T3BJ广泛应用于各类需要高可靠性瞬态保护的电子系统中。在通信领域，它常被用于保护RS-232、RS-485和CAN总线接口免受雷击感应或电源耦合引起的电压浪涌影响，确保数据传输的连续性和完整性。在工业自动化设备中，该器件可用于PLC模块、传感器接口和远程I/O单元的信号端口保护，提升系统的抗干扰能力和现场适应性。消费电子产品如机顶盒、打印机、智能家居控制面板也常采用TISP3115T3BJ来增强USB、音频和按键接口的ESD防护水平。
　　在汽车电子方面，尽管该器件并非专为汽车级认证设计，但仍可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中的低速数据线路保护，特别是在12V电源供电环境下表现良好。此外，在网络设备如交换机、路由器和调制解调器中，TISP3115T3BJ可用于Ethernet PHY侧的信号线保护（非主线路），防范人为操作带来的静电损伤。医疗电子设备中对信号精度要求较高，该器件凭借其低电容和快速响应特性，也被用于患者连接接口的初级防护层，防止外部静电侵入导致设备误动作或损坏。
　　总体来看，TISP3115T3BJ适用于所有需要多通道、小封装、低电容和高ESD耐受能力的过压保护场景。其设计灵活性使其可以部署于电源轨旁路保护、双线/四线制传感器接口、编码器信号线以及任何暴露在外界环境中的连接器引脚上。由于其出色的动态性能和长期稳定性，已成为许多工程师在进行EMC设计时首选的TVS阵列器件之一。

SM712-02UTAG
　　SP3012-02UTG
　　TPD3E001DRLR