时间：2025/9/1 19:04:18
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HY27US084G2B-TPCB是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的NAND闪存芯片，广泛用于嵌入式系统、存储设备和消费类电子产品中。这款芯片具有高存储密度、低功耗和高可靠性，适用于多种应用场景。
型号：HY27US084G2B-TPCB
制造商：SK Hynix
类型：NAND闪存
容量：4GB
电压：2.7V - 3.6V
封装类型：TSOP
引脚数：52
接口：ONFI 1.0兼容
读取速度：最高可达50MB/s
写入速度：最高可达20MB/s
HY27US084G2B-TPCB NAND闪存芯片具有多项显著的特性。首先，它采用了先进的NAND闪存技术，提供了4GB的存储容量，能够满足多种应用对数据存储的需求。其工作电压范围为2.7V至3.6V，确保了芯片在不同电源条件下都能稳定运行。
其次，该芯片采用TSOP封装形式，具有52个引脚，适合在紧凑型电子设备中使用。封装设计不仅提高了空间利用率，还增强了芯片的散热性能，延长了使用寿命。此外，HY27US084G2B-TPCB支持ONFI 1.0接口标准，使其能够轻松集成到各种系统中，并与其他组件兼容。
HY27US084G2B-TPCB NAND闪存芯片广泛应用于多个领域。在消费电子领域，它常用于智能手机、平板电脑、数码相机和MP3播放器等设备中，用于存储操作系统、应用程序和用户数据。
K9F4G08U0B-PCB0, MT29F4G08ABBEAWP-6, NAND4G-S01B2A
