HY5MS5B6BLFP-6E 时间：2025/9/2 19:26:26 阅读：6

HY5MS5B6BLFP-6E 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款高性能DRAM芯片，属于移动型LPDDR3 SDRAM系列，专为低功耗和高带宽需求的应用设计。该芯片采用BGA封装，适用于移动设备、嵌入式系统以及需要高效能内存解决方案的便携式电子产品。

参数

型号：HY5MS5B6BLFP-6E
　　类型：LPDDR3 SDRAM
　　容量：4Gb（512MB）
　　数据宽度：16位
　　电压：1.2V - 1.8V 多电源供电
　　频率：800MHz
　　封装类型：BGA
　　引脚数：118
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

HY5MS5B6BLFP-6E 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，采用先进的LPDDR3技术，适用于对能耗敏感的便携式设备。该芯片支持16位数据总线宽度，提供高达800MHz的时钟频率，从而实现高达6.4Gbps的数据传输速率，满足现代移动设备对高带宽内存的需求。
　　其多电源供电设计（1.2V - 1.8V）使得该芯片能够根据系统需求灵活调整功耗，进一步延长电池寿命。此外，HY5MS5B6BLFP-6E 采用了先进的封装技术，确保在紧凑的118引脚BGA封装中实现高稳定性和良好的电气性能。
　　该芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电功耗节省模式，帮助系统在不同工作状态下优化能耗。同时，它具备较高的可靠性和稳定性，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内正常工作，适用于各种严苛环境下的应用。
　　此外，HY5MS5B6BLFP-6E 具备良好的兼容性，能够与多种移动平台和嵌入式系统无缝集成，广泛用于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、工业控制设备以及车载信息娱乐系统等。