时间：2025/5/14 16:40:46
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THGBMJG6C1LBAIL 是一款由东芝（Toshiba）制造的 NAND 闪存芯片，采用 TLC（Triple-Level Cell）技术。该芯片主要用于存储设备中，例如固态硬盘（SSD）、嵌入式存储和记忆卡等。其设计注重高密度存储和低功耗，适合消费级及工业级应用。
该芯片具备高速读写性能，并且通过先进的制程工艺优化了成本与性能之间的平衡。它支持 ONFI（Open NAND Flash Interface）标准，便于与主机系统进行高效通信。
容量：512GB
接口类型：ONFI 4.0
工作电压：1.8V
数据位宽：8-bit
封装形式：BGA
I/O接口速度：400 MT/s
擦写寿命：约 1000 次 (基于 TLC 技术)
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装尺寸：16mm x 24mm x 1.2mm
THGBMJG6C1LBAIL 芯片采用 TLC 存储单元结构，每个单元可存储 3 位数据，从而实现更高的存储密度。相比 MLC（Multi-Level Cell），TLC 提供更大的存储容量，但其擦写寿命较低，适用于对写入频率要求不高的场景。
此外，该芯片内置 ECC（Error Correction Code）引擎以增强数据可靠性，并支持磨损均衡算法以延长使用寿命。
此芯片具有低功耗特性，在待机模式下的电流消耗极低，非常适合电池供电设备或需要节能的应用环境。
其支持的 ONFI 4.0 接口规范确保了快速启动、稳定运行以及与其他 NAND 设备的良好兼容性。
另外，该芯片还提供了强大的数据保护机制，包括坏块管理功能和断电保护措施，以确保数据完整性不受外部干扰影响。
THGBMJG6C1LBAIL 主要应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）
2. 嵌入式存储解决方案（如 eMMC 和 UFS）
3. 记忆卡（SD 卡、microSD 卡等）
4. 工业计算机和服务器存储
5. 物联网（IoT）设备中的本地数据存储
6. 消费类电子产品，例如智能手机、平板电脑和数码相机中的大容量存储模块
由于其高容量和低功耗特点，这款芯片特别适合需要长时间稳定运行并同时保持较小物理体积的设计方案。
THGBMFG9C2HALBAIJ
THGBMG9D2EBLLBAI
THGBMJG9K2HBAIL
