FDS6692A-NL是一款N沟道功率MOSFET,由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产。这款器件采用先进的制造工艺,能够提供较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适用于需要高效率和低损耗的开关应用。该MOSFET具有快速开关速度和出色的热性能,适合在高频开关电源、电机驱动器、DC-DC转换器等应用中使用。
该型号是表面贴装器件(SMD),采用TO-252 (DPAK) 封装形式,有助于提高电路板的空间利用率,并且便于自动化装配。其设计目标是在要求高可靠性和高性能的应用中表现出色。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
最大连续漏极电流:18A
导通电阻:40mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗:14W
工作结温范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-252 (DPAK)
输入电容:1330pF
FDS6692A-NL的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关速度,适合高频应用,减少开关损耗。
3. 高雪崩击穿能量,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 优化的栅极电荷设计,可以显著降低驱动损耗。
5. 良好的热性能,即使在高功率应用场景下也能保持稳定运行。
6. 符合RoHS标准,环保无铅封装。
FDS6692A-NL适用于多种电子应用领域,具体包括:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流开关。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 电池保护电路中的负载开关。
5. 各种工业控制设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的电源管理单元。
由于其低导通电阻和高电流处理能力,这款MOSFET非常适合于需要高效能和小型化设计的应用场景。
FDS6692A,
FDP5500,
IRFZ44N,
AO3400