电容值：10nF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V
　　温度特性：X7R
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　介质材料：陶瓷
　　绝缘电阻：≥4000MΩ·μF
　　损耗角正切（tanδ）：≤2.5%
　　温度系数：±15% within -55°C to +125°C
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　结构类型：多层片式电容器
　　端接材质：镍阻挡层 + 锡外涂层
　　产品系列：TH11
　　高度：≤1.6mm
　　长度：3.2mm ±0.2mm
　　宽度：2.5mm ±0.2mm

TH11-3H103FT所采用的X7R陶瓷介质赋予其出色的温度稳定性，使其在极端工作环境下仍能维持电容性能的一致性。X7R材料属于铁电体介质，具有较高的介电常数，能够在较小体积内实现较大的电容容量，这对于空间受限的应用场景尤为重要。
　　该电容器在-55°C到+125°C的整个温度区间内，电容值的变化控制在±15%以内，远优于Z5U或Y5V等普通陶瓷介质，因此特别适用于需要长期稳定运行的工业级和汽车级电子系统。
　　其1210（3225）封装形式在尺寸与电气性能之间实现了良好平衡，既保证了足够的爬电距离和电气强度，又便于PCB布局布线。该封装还具备较强的机械强度，能够承受回流焊过程中的热应力，减少因温度循环导致的裂纹风险。
　　TH11-3H103FT的直流耐压达到50V，足以应对大多数中低压电源轨的去耦需求，例如为微处理器、FPGA、ASIC等数字IC提供稳定的局部供电。同时，其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性使其在高频下仍具有良好的滤波效果，能有效滤除开关电源产生的纹波噪声。
　　该器件的端电极采用镍/锡双层结构，具备优良的可焊性和抗氧化能力，确保焊接连接的可靠性，并兼容无铅焊接工艺。此外，其多层叠层结构提升了整体的机械韧性，降低了因PCB弯曲或振动引起的失效概率。
　　TH11-3H103FT通过了AEC-Q200等可靠性认证的可能性较高（需查证具体厂商规格书），适用于对可靠性要求较高的车载电子、医疗设备和户外通信设备等领域。整体而言，该型号是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的通用型高性能MLCC。

TH11-3H103FT广泛应用于各类需要中等电容值和高稳定性的电子电路中。在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器的输入和输出端进行滤波，以平滑电压波动并减少电磁干扰（EMI），从而提高电源效率和系统稳定性。
　　在数字电路设计中，该电容器作为去耦电容布置在集成电路（如MCU、GPU、RAM等）的电源引脚附近，用以吸收瞬态电流尖峰，防止因电源噪声引发的误操作或逻辑错误，保障系统的正常运行。
　　在模拟信号链路中，TH11-3H103FT可用于交流耦合和旁路应用，隔离直流分量的同时传递交流信号，常见于音频放大器、传感器接口电路和数据采集系统中。
　　此外，在射频（RF）和无线通信模块中，尽管其非C0G/NP0材质限制了在极高频率下的使用，但在中低频段仍可作为匹配网络或滤波元件的一部分，参与阻抗匹配与噪声抑制。
　　工业控制设备如PLC、变频器、伺服驱动器等也大量使用此类电容器，因其能在宽温、高湿、强振动等恶劣环境中长期稳定工作。
　　消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备同样依赖TH11-3H103FT这类小型化、高性能MLCC来实现紧凑设计与高集成度。
　　在汽车电子领域，包括车身控制模块、信息娱乐系统、ADAS传感器供电单元中，该电容器可用于电源滤波和信号调理，满足车规级应用对可靠性的严苛要求。