制造商：Mitsubishi Electric
　　类型：CMOS Static RAM
　　组织结构：4096 x 8 bits
　　总容量：32,768 bits (4KB)
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　访问时间：55ns
　　封装类型：44-pin PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　输入/输出电平：TTL 兼容
　　供电电流（最大）：约 80mA（典型值取决于工作频率）
　　待机电流：≤ 5μA（典型值）
　　引脚数量：44
　　安装方式：表面贴装（SMD）

M5M5408BRT-55H具备多项优异的技术特性，使其在高速数据存储应用中表现出色。
　　首先，其55纳秒的快速访问时间确保了在高频率操作下仍能保持高效的数据读写能力，适用于需要快速响应的实时控制系统。这一速度水平在当时的SRAM产品中处于中高端行列，能够满足大多数微处理器系统的总线时序要求，减少等待周期，提升整体系统性能。
　　其次，该芯片采用了先进的CMOS制造工艺，在保证高速运行的同时实现了较低的功耗。在正常工作模式下，其供电电流相对较小；而在待机或掉电模式下，电流可降至微安级别，显著延长了电池供电设备的使用寿命，特别适合便携式仪器和远程监控设备的应用需求。
　　再者，M5M5408BRT-55H具有出色的抗干扰能力和稳定性。其内部电路设计优化了噪声抑制和信号完整性，能够在复杂电磁环境中可靠运行。此外，器件支持全静态操作，即无需刷新机制即可维持数据，简化了系统设计并提高了可靠性。
　　该SRAM还具备良好的温度适应性，可在-40°C至+85°C的宽温范围内正常工作，符合工业级和汽车级应用标准，适用于户外通信基站、轨道交通控制系统等极端环境。
　　最后，其44引脚PLCC封装不仅提供了足够的I/O引脚以支持地址线、数据线和控制信号的布局，而且具有良好的机械强度和热稳定性，便于自动化生产和返修操作。综上所述，M5M5408BRT-55H以其高速度、低功耗、高可靠性和工业级环境适应能力，成为当时嵌入式系统中理想的静态存储解决方案之一。

M5M5408BRT-55H的应用领域广泛，主要集中在需要高速、稳定、非易失性缓存以外的临时数据存储场景。
　　在通信设备中，它常用于路由器、交换机和调制解调器的数据缓冲区，用于暂存待处理的数据包或协议帧，提升信息转发效率。
　　在工业自动化领域，该芯片被集成于PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）和数据采集系统中，作为中间运算数据的存储单元，支持实时控制算法的执行。
　　在消费类电子产品方面，曾见于早期的打印机、传真机、数码相机和音频设备中，用于图像缓存、字符生成或音频流缓冲。
　　此外，在测试测量仪器如示波器、频谱分析仪中，M5M5408BRT-55H也发挥着重要作用，用于高速采样数据的临时存储，以便后续处理或显示。
　　由于其TTL电平兼容性和标准异步接口，该器件易于与8位或16位微处理器（如Z80、8051、68HC11等）直接连接，无需额外的电平转换电路，降低了系统设计复杂度。
　　在军事和航空航天领域，尽管目前已较少使用，但在一些老旧型号装备的维修和备件替换中，该SRAM仍具有不可替代的作用。
　　总体而言，M5M5408BRT-55H凭借其成熟的技术、稳定的性能和广泛的兼容性，在多个行业中长期服役，是经典SRAM器件的代表之一。

CY7C108BV-55H
　　IS61LV256AL-55H
　　AS6C4008-55PCN1