类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　漏极电流（Id）：35A（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.18Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约100nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247AC

IXCP50M35的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。在高电流工作条件下，该特性尤其重要，因为它可以减少热量的产生并提高设备的可靠性。此外，低Rds(on)还允许使用较小的散热器或更简单的热管理方案，从而减小整体设计的尺寸和成本。
　　另一个关键特性是其高开关速度，这使得IXCP50M35非常适合高频操作的应用，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和逆变器。高开关速度可以减少开关损耗，同时允许使用更小的磁性元件和电容器，从而进一步缩小设备的尺寸。
　　该器件还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。这种热管理能力使其在高负载条件下具有更强的耐用性，并提高了长期运行的可靠性。此外，IXCP50M35的设计还具备较高的抗雪崩能力和抗短路能力，适用于一些苛刻的工业环境。
　　TO-247AC封装提供了良好的散热性能，并且兼容标准的安装方式，便于集成到各种电路板设计中。

IXCP50M35广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器和工业自动化设备。在这些应用中，该器件可以作为主功率开关，负责高效的能量转换和精确的功率控制。此外，它也适用于LED照明驱动器、电池充电器以及各种高功率消费类电子产品中的电源管理部分。
　　在可再生能源系统中，例如太阳能逆变器和风能转换系统，IXCP50M35可用于DC-AC转换过程中的高频开关，以提高能量转换效率。在电动车辆和充电基础设施中，该器件可以用于电池管理系统和车载充电器，确保高效、稳定的电力传输。
　　由于其高可靠性和优异的热性能，IXCP50M35也常用于工业控制系统，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器和自动化设备中的功率开关。

IXFH50N50P, IXTP50P50XD2, IRFP460LC