类型：GaAs FET
　　封装类型：表面贴装（Surface Mount）
　　工作频率范围：DC 至 18 GHz
　　输出功率：典型值 1 W（在 12 GHz 时）
　　增益：典型值 10 dB（在 12 GHz 时）
　　漏极电流（ID）：最大 200 mA
　　漏极-源极电压（VDS）：最大 10 V
　　输入驻波比（VSWR）：典型值 2.0:1
　　输出驻波比（VSWR）：典型值 2.0:1
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

TGF3021-SM 的主要特性之一是其宽频率响应范围，使其适用于多种射频和微波应用。该器件基于 GaAs 技术制造，具备高电子迁移率和低噪声特性，适合高频率放大器设计。其表面贴装封装方式不仅减小了整体电路尺寸，还简化了 PCB 布局和装配流程，提高了系统的可靠性。
　　该晶体管的典型工作频率范围覆盖 DC 到 18 GHz，非常适合 X 波段（8 - 12 GHz）和 Ku 波段（12 - 18 GHz）的应用。在 12 GHz 时，TGF3021-SM 能够提供大约 1 W 的输出功率和 10 dB 的增益，这使得它成为中功率射频放大器的理想选择。此外，其输入和输出驻波比（VSWR）典型值为 2.0:1，表明其匹配性能良好，有助于减少信号反射，提高系统效率。
　　该器件的最大漏极电流为 200 mA，最大漏极-源极电压为 10 V，这为其稳定运行提供了保障。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）使其能够在恶劣的环境条件下正常工作，满足军事和航空航天应用的要求。TGF3021-SM 还具有良好的热稳定性和机械稳定性，确保在长期使用中保持一致的性能。

TGF3021-SM 主要应用于高性能射频和微波系统，包括雷达、卫星通信、无线基础设施、测试与测量设备以及军事电子系统。由于其频率范围覆盖至 18 GHz，它特别适合 X 波段和 Ku 波段的放大器设计，例如低噪声放大器（LNA）、中功率放大器和驱动放大器。
　　在通信系统中，TGF3021-SM 可用于设计高线性度的射频放大器，以支持高数据速率传输和减少信号干扰。在雷达系统中，该器件可用于中频或射频放大器部分，提高系统的探测精度和灵敏度。在测试设备中，该晶体管可用于构建宽带放大器模块，支持多种频率范围的测试需求。
　　此外，由于其表面贴装封装形式，TGF3021-SM 非常适合高密度 PCB 设计，能够满足现代电子设备对小型化和高性能的双重需求。该器件也常用于开发便携式和移动通信设备中的射频前端模块，提供稳定的放大性能。

TGF3021-SM 的替代型号包括 TGF3022-SM、TGF2023-SM 和类似性能的 HMC414 或 ATF-54143 等 GaAs FET 放大器器件。