类型：P沟道
　　连续漏极电流（ID）：-200mA
　　漏源击穿电压（BVDSS）：-50V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：-1.0V 至 -2.0V
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：最大 4.5Ω（当VGS = -5V时）
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：最大 5.7Ω（当VGS = -4.5V时）
　　栅极电荷（Qg）：典型值 2.4nC
　　输入电容（Ciss）：典型值 23pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23（TO-236AB）
　　功率耗散（Ptot）：250mW
　　反向二极管电压（VSD）：-50V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V

BSW52具备优异的开关特性和稳定的电气性能，适用于高频开关操作。其P沟道结构使得在高边开关应用中无需额外的电荷泵电路即可实现负载控制，显著简化了电源管理系统的设计复杂度。该器件在低栅极驱动电压下仍能保持较低的导通电阻，确保在电池电压逐渐下降的情况下依然维持高效运行。其最大RDS(on)仅为5.7Ω（在VGS = -4.5V条件下），这一特性对于减少传导损耗至关重要，特别是在电流较大的小型开关应用中表现突出。BSW52的热阻特性优良，结至环境热阻（RthJA）约为500K/W，配合适当的PCB布局可有效提升散热效率。该器件还具有快速的开关速度，上升时间和下降时间均处于纳秒级别，适合需要快速响应的应用场景，如LED调光、电机启停控制或数字信号切换。其输入电容低至23pF，减小了驱动电路的负载，提高了整体系统的能效。此外，BSW52内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，可在感性负载断开时提供可靠的续流路径，防止电压尖峰损坏其他元件。该MOSFET经过严格的老化测试和可靠性验证，具备出色的长期稳定性，在高温高湿环境下仍能保持性能一致性。其SOT-23封装不仅节省空间，而且与自动化贴片工艺兼容，适合大规模生产。BSW52还具备良好的抗噪声干扰能力，能够在电磁环境复杂的系统中稳定工作。
　　另一个关键优势是其符合AEC-Q101车规认证，意味着它可以在汽车电子系统中可靠运行，包括车身控制模块、车内照明、传感器电源开关等应用场景。这种认证要求器件通过一系列严格的应力测试，如高温反偏、温度循环、高压蒸煮等，确保在极端条件下的耐用性。同时，该器件支持无铅回流焊工艺，适应现代绿色制造流程。其±20V的栅源电压耐受能力提供了足够的安全裕度，避免因瞬态过压导致栅氧化层击穿。综合来看，BSW52以其小尺寸、高性能和高可靠性，成为众多低功耗电子系统中理想的P沟道MOSFET选择。

BSW52常用于便携式电子设备中的电源开关和负载控制，例如在智能手机和平板电脑中用于LCD背光驱动的开启与关闭，或控制不同功能模块的供电以实现节能待机。它也广泛应用于电池供电的物联网终端设备，作为微控制器与外围器件之间的电源门控开关，有效降低静态功耗。在工业控制系统中，BSW52可用于数字信号电平转换，将来自低压逻辑芯片的控制信号转换为适合驱动更高电压负载的形式。此外，该器件适用于各种DC-DC转换器拓扑结构中的同步整流或高端开关环节，提高转换效率。在汽车电子领域，BSW52可用于车载信息娱乐系统、仪表盘照明调节、车灯控制模块以及各类传感器供电管理单元。其高可靠性与宽工作温度范围使其能在发动机舱附近或外部环境恶劣的条件下稳定运行。BSW52还可用于保护电路设计，如防反接电路或过流保护开关，利用其可控导通特性实现自动切断故障电流的功能。在通信设备中，它可以作为射频模块或接口电路的电源隔离开关，防止带电插拔造成损坏。由于其快速响应能力和低漏电流特性，BSW52同样适合用于精密测量仪器或医疗电子设备中的信号通断控制。总之，凡是需要小型化、低功耗、高可靠性的P沟道开关解决方案的场合，BSW52都是一个极具竞争力的选择。

BSS84
　　FDS6679A
　　ZVP2106A
　　DMP2006UFG
　　SI2301DS