ME6206A21M3G 是一款基于 GaN(氮化镓)技术的高效能功率开关器件,主要应用于高频、高效率电源转换场景。该芯片由知名半导体厂商设计制造,利用增强型 GaN FET 技术,提供极低的导通电阻和快速的开关性能,从而实现更高的系统效率和更小的体积设计。
其封装形式为 LFPAK8,具有良好的散热性能和电气稳定性,适用于 AC/DC 和 DC/DC 转换器、快充适配器、无线充电模块以及各种工业电源应用。
型号:ME6206A21M3G
类型:GaN 功率开关
导通电阻(Rds(on)):6.5 mΩ(典型值,在 Vgs=6V 下)
击穿电压(Bvdss):650 V
连续漏极电流(Id):21 A(最大值,在 25°C 下)
栅极电荷(Qg):45 nC(典型值)
反向恢复电荷(Qrr):无
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:LFPAK8
ME6206A21M3G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻和栅极电荷,可显著降低传导损耗和开关损耗。
2. 支持高达 2 MHz 的开关频率,能够有效减小外部元件尺寸,优化系统成本。
3. 具备增强模式(E-Mode)GaN 技术,无需复杂的驱动电路即可直接替代传统 MOSFET。
4. 内置全面的保护功能,如过流保护和短路保护,提高了系统的可靠性和安全性。
5. 高温稳定性和低热阻封装,能够在严苛的工作条件下保持出色的性能。
6. 符合 RoHS 标准,环保且适合长期使用。
ME6206A21M3G 广泛应用于以下领域:
1. 快速充电器和适配器,支持 USB-PD 协议以满足多种设备需求。
2. 开关电源(SMPS),用于消费电子和工业设备中的高效能量转换。
3. 无线充电发射端和接收端模块,提供更高效率和更低发热。
4. LED 驱动电源,支持大功率照明应用。
5. 数据中心电源单元(PSU)和其他高性能计算相关设备。
6. 太阳能微逆变器和储能系统中的功率级控制部分。
ME6206A17M3G, ME6206A21L3G