工作频率范围：1.2 GHz 至 1.4 GHz
　　输出功率：50W（典型值）
　　漏极电压：28V
　　漏极电流：150mA
　　增益：14 dB（典型值）
　　效率：60% 以上
　　封装形式：陶瓷金属封装（Flanged Package）
　　输入和输出阻抗：50Ω

TGF2955 是基于 GaN 技术的高性能射频晶体管，具有以下主要特性：
　　? 高输出功率能力：TGF2955 可提供高达 50W 的射频输出功率，适用于高功率放大应用。
　　? 高效率：在 L 波段和 S 波段，TGF2955 提供超过 60% 的效率，有助于降低功耗和散热需求。
　　? 高增益：14 dB 的典型增益确保了良好的信号放大性能，适用于多级放大器设计。
　　? 宽带匹配：该器件的输入和输出阻抗为 50Ω，便于与射频电路进行阻抗匹配。
　　? 热稳定性好：采用高导热性的封装材料，提升了热管理性能，适用于高功率密度应用。
　　? 脉冲和连续波模式兼容：适用于雷达、通信等需要脉冲信号放大的系统。
　　? 可靠性高：GaN 技术具备出色的耐用性和长期稳定性，适合工业和军事应用。

TGF2955 主要用于以下类型的射频和微波系统：
　　? 雷达系统：包括气象雷达、空中交通管制雷达和军用雷达，适用于 L 波段和 S 波段的发射链路。
　　? 通信系统：如地面基站、卫星通信和军事通信设备中的高功率放大器部分。
　　? 测试设备：用于射频信号发生器、频谱分析仪和功率放大器模块。
　　? 工业和医疗设备：如射频能量应用、等离子体发生器和工业加热系统。
　　? 宽带放大器设计：适用于需要高线性度和宽带操作的射频放大器模块。

TGF2955S、TGF2965、TGF2823、QPD1013