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NGB18N40CLBT4G 发布时间 时间:2023/11/22 16:59:44 查看 阅读:156

产品种类: IGBT 晶体管

目录

概述

制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-263-3
集电极—发射极最大电压 VCEO: 430 V
集电极—射极击穿电压: 395 V
集电极—射极饱和电压: 46 V
栅极/发射极最大电压: 18 V
集电极最大连续电流 Ic: 18 A
栅极—射极漏泄电流: 115 W
功率耗散: 115 W
封装: Reel
配置: Single

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NGB18N40CLBT4G参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)430V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2V @ 4.5V,10A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)18A
  • 功率 - 最大115W
  • 输入类型逻辑
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NGB18N40CLBT4GOS