时间：2025/8/16 5:31:11
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TGF2025 是一款由 TriQuint（现为 Qorvo）制造的 GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT），广泛用于高功率射频和微波应用。该器件以其高效率、高功率密度和优异的热性能而著称，适用于无线基础设施、雷达、测试设备和工业加热等应用。TGF2025 在 2.4 GHz 频段附近表现尤为出色，但也可用于较宽的频率范围。
类型：GaN HEMT
封装类型：螺栓式法兰封装
频率范围：DC - 4 GHz
输出功率：典型 125 W（连续波）
漏极电压：65 V
工作电流：典型 2.8 A
增益：典型 13 dB
效率：典型 65%
输入驻波比（VSWR）：典型 2.5:1
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
热阻（Rth）：典型 1.25°C/W
TGF2025 具有出色的射频性能和高可靠性，是一款基于 GaN 技术的功率晶体管。其 GaN 材料结构提供了高电子迁移率和高饱和速度，使得该器件在高频应用中表现出色。此外，TGF2025 具有较高的击穿电压，允许在更高的电压下工作，从而提升输出功率和效率。
该器件采用螺栓式法兰封装，具有良好的散热性能，有助于维持稳定的工作温度并延长使用寿命。封装设计便于安装在散热器上，确保在高功率操作时保持良好的热管理。
TGF2025 的宽带宽特性使其适用于从 DC 到 4 GHz 的广泛频率范围，特别适合 2.4 GHz ISM 频段的无线通信和工业应用。其高线性度和低失真特性也使其在需要高质量信号放大的应用中表现良好。
此外，TGF2025 具有良好的抗失配能力和高耐用性，适合在恶劣环境下使用。其高输入和输出阻抗匹配能力降低了外部匹配网络的复杂度，简化了设计流程。
TGF2025 主要用于高功率射频放大器的设计，适用于多种应用场景，包括无线基站、雷达系统、测试和测量设备、工业加热设备以及广播系统等。其高功率密度和高效能使其成为 2.4 GHz ISM 频段功率放大器的理想选择。
在无线通信领域，TGF2025 可用于 LTE 基站、WiMAX 基站和其他无线基础设施的功率放大模块。其高线性度和低失真特性有助于提升信号质量和传输效率。
在测试和测量设备中，TGF2025 可作为高功率射频信号源，支持频谱分析仪、信号发生器等设备的高性能需求。其宽带宽特性使其适用于多种频率范围的测试场景。
在工业和科学应用中，TGF2025 可用于 RF 加热、等离子体生成、医疗设备以及射频激励源等系统，满足高功率密度和高可靠性的需求。
TGF2025-SM, TGF2025-FS, CGH40010F
