型号：BCR3AS-8A-1T13
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：80V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：3.4A
　　连续漏极电流（ID）@70°C：2.2A
　　脉冲漏极电流（IDM）：13.6A
　　功耗（Ptot）：1W
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 10V：0.095Ω
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 4.5V：0.115Ω
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：370pF @ VDS=50V
　　输出电容（Coss）：95pF @ VDS=50V
　　反向恢复时间（trr）：未集成体二极管或快速恢复型
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PG-SOT323-3（SOT-23）

BCR3AS-8A-1T13采用英飞凌成熟的沟槽型场效应晶体管技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其在VGS=10V时RDS(on)最大仅为95mΩ，在VGS=4.5V下也仅115mΩ，这一特性使得器件在电池供电设备或低压大电流应用场景中显著降低传导损耗，提高系统效率。此外，由于采用了先进的封装工艺和芯片设计，该MOSFET具备良好的热导性和长期可靠性，即使在高温环境下也能稳定运行。
　　该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为6nC（@VGS=10V），这意味着驱动电路所需的驱动功率较小，有利于简化栅极驱动设计并减少动态损耗。同时，其输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）均保持在合理水平，确保高频开关操作时不会引入过多寄生效应，适用于高达数百kHz甚至更高频率的开关电源拓扑结构，如降压（Buck）、升压（Boost）及反激式转换器。
　　BCR3AS-8A-1T13还具备较强的抗雪崩能力，能够在突发短路或电感负载断开时承受一定的能量冲击而不损坏，提升了系统的鲁棒性。其符合AEC-Q101标准，表明其经过严格的应力测试，包括温度循环、高温反偏、机械冲击等多项考核，特别适合用于车载照明、电动门窗控制、传感器电源等汽车电子子系统。
　　此外，该器件支持无铅回流焊工艺，满足现代电子产品绿色制造的要求。SOT-23小尺寸封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片生产，提高了组装效率。综合来看，BCR3AS-8A-1T13是一款集高性能、高可靠性与小型化于一体的功率MOSFET，适用于多种中低压功率开关场景。

BCR3AS-8A-1T13广泛应用于各类中低功率开关模式电源（SMPS）中，例如手机充电器、便携式设备适配器、LED驱动电源等，凭借其低导通电阻和高开关速度，有效提升电源转换效率并降低温升。在DC-DC转换器设计中，它常被用作同步整流开关或主开关元件，特别是在Buck变换器中作为下管使用，能够显著减少导通损耗，提高轻载和满载条件下的整体效能。
　　在消费类电子产品中，该器件可用于LCD背光控制、相机闪光灯驱动、USB端口电源管理等需要快速响应和精确控制的场合。其小型封装非常适合空间受限的移动终端设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
　　在工业控制领域，BCR3AS-8A-1T13可用于继电器驱动、电磁阀控制、小型电机调速等应用，实现高效的负载开关功能。其稳定的电气特性和宽泛的工作温度范围使其能在恶劣工业环境中可靠运行。
　　更重要的是，由于通过了AEC-Q101车规认证，BCR3AS-8A-1T13被广泛应用于汽车电子系统，包括车身控制模块（BCM）、车载照明系统（如日间行车灯、尾灯）、雨刷电机驱动、燃油泵控制单元等。这些应用对元器件的长期稳定性、抗振动能力和温度适应性有严格要求，而该器件正好满足这些需求。此外，也可用于车载信息娱乐系统的电源管理部分，提供稳定高效的电压调节支持。

BSS138NXP, BUK9Y3R5-40E, FDS6680A, SI2302DS, AO3400