您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 2SK1070PICTL-E

2SK1070PICTL-E 发布时间 时间:2025/4/29 12:47:37 查看 阅读:3

2SK1070PICTL-E 是一种 N 沟道 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及音频功率放大器等场景。该型号属于 Toshiba 公司生产的 MOSFET 系列产品,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。
  2SK1070PICTL-E 的封装形式为 TO-247N,适合高功率应用环境,并且其设计特别针对音频功放领域进行了优化,能够有效降低失真并提升整体效率。

参数

最大漏源电压:150V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:36A
  脉冲漏极电流:108A
  导通电阻(典型值):0.018Ω
  总功耗:250W
  结温范围:-55℃ 至 +175℃
  输入电容:1600pF

特性

2SK1070PICTL-E 主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,从而提高系统效率。
  2. 高速开关能力,非常适合高频开关应用。
  3. 在音频功率放大器中表现出色,能够显著降低总谐波失真 (THD) 和噪声。
  4. 强大的散热性能,支持长时间高负载运行。
  5. 提供了较宽的工作温度范围,适应各种严苛环境条件。
  6. 封装结构坚固耐用,便于安装和使用。

应用

该型号适用于以下应用场景:
  1. 音频功率放大器中的输出级驱动。
  2. 开关模式电源 (SMPS) 的主开关元件。
  3. DC-DC 转换器中的同步整流或控制开关。
  4. 各类工业设备中的电机驱动与控制电路。
  5. 不间断电源 (UPS) 系统中的功率转换模块。
  6. 新能源相关设备,如太阳能逆变器或电池管理系统。

替代型号

2SK1058PICTL-E, IRFP250N, STP36NF06L

2SK1070PICTL-E推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

2SK1070PICTL-E资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

2SK1070PICTL-E参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)22 V
  • 漏源电压(Vdss)-
  • 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)12 mA @ 5 V
  • 漏极电流 (Id) - 最大值50 mA
  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)0 V @ 10 μA
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)9pF @ 5V
  • 电阻 - RDS(On)-
  • 功率 - 最大值150 mW
  • 工作温度150°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装3-MPAK