2SK1070PICTL-E 是一种 N 沟道 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及音频功率放大器等场景。该型号属于 Toshiba 公司生产的 MOSFET 系列产品,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。
2SK1070PICTL-E 的封装形式为 TO-247N,适合高功率应用环境,并且其设计特别针对音频功放领域进行了优化,能够有效降低失真并提升整体效率。
最大漏源电压:150V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:36A
脉冲漏极电流:108A
导通电阻(典型值):0.018Ω
总功耗:250W
结温范围:-55℃ 至 +175℃
输入电容:1600pF
2SK1070PICTL-E 主要特点包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,从而提高系统效率。
2. 高速开关能力,非常适合高频开关应用。
3. 在音频功率放大器中表现出色,能够显著降低总谐波失真 (THD) 和噪声。
4. 强大的散热性能,支持长时间高负载运行。
5. 提供了较宽的工作温度范围,适应各种严苛环境条件。
6. 封装结构坚固耐用,便于安装和使用。
该型号适用于以下应用场景:
1. 音频功率放大器中的输出级驱动。
2. 开关模式电源 (SMPS) 的主开关元件。
3. DC-DC 转换器中的同步整流或控制开关。
4. 各类工业设备中的电机驱动与控制电路。
5. 不间断电源 (UPS) 系统中的功率转换模块。
6. 新能源相关设备,如太阳能逆变器或电池管理系统。
2SK1058PICTL-E, IRFP250N, STP36NF06L