H26M41001HPR 时间：2025/9/2 3:04:13 阅读：6

H26M41001HPR 是一款由 Hynix（现为 SK hynix）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于 SDRAM（同步动态随机存取存储器）类别，适用于需要高速数据访问的电子设备，如个人计算机、服务器、嵌入式系统等。H26M41001HPR 的设计目标是提供高容量和高性能，以满足现代计算系统对内存的需求。

参数

类型：DRAM
　　工艺技术：CMOS
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　电压：3.3V
　　频率：166MHz
　　位宽：4位
　　容量：256Mbit
　　数据速率：166MHz
　　访问时间：5.4ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

H26M41001HPR 的主要特性包括其高速同步操作和低功耗设计。该芯片基于 CMOS 技术制造，能够在 3.3V 的电源电压下运行，确保了较低的功耗和较高的稳定性。其 166MHz 的时钟频率使其能够支持高速数据传输，适用于要求高性能内存系统的应用。此外，该芯片的 TSOP 封装形式提供了良好的散热性能和较小的 PCB 占用空间，适合高密度内存设计。
　　这款 SDRAM 芯片支持突发模式访问，可以提高数据吞吐率。其 4 位宽的数据总线设计使其适用于需要较高带宽的嵌入式系统和消费类电子产品。H26M41001HPR 还具备自动刷新功能，确保数据在断电前能够被正确保存，并减少了对外部控制器的依赖。
　　另一个显著的特性是其宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C），这使得该芯片能够在工业级环境中稳定运行，适用于严苛的工作条件，如工业控制、汽车电子和通信设备。

应用

H26M41001HPR 主要用于需要高性能和低功耗的电子设备中。它广泛应用于个人计算机、服务器、嵌入式系统、工业控制设备、消费电子产品以及网络通信设备。由于其高频率和低功耗特性，该芯片特别适用于需要高速缓存或主存储器的系统，例如图像处理设备、视频监控系统、路由器和交换机等。此外，其宽温度范围也使其成为汽车电子系统和工业自动化设备的理想选择。