型号：TGBR5V45
　　封装类型：SOD-323
　　最大重复反向电压（VRRM）：50V
　　最大平均整流电流（IO）：500mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：1A
　　最大正向电压（VF）：550mV @ IF=50mA
　　最大反向漏电流（IR）：10μA @ VR=50V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻（Rθj-a）：350°C/W
　　极性：单个肖特基二极管

TGBR5V45的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒结构，这种结构利用金属-半导体接触形成势垒，从而显著降低了正向导通电压（VF），相较于传统的PN结二极管可减少约30%-50%的能量损耗。在典型工作条件下（IF=50mA），其正向压降仅为550mV，这意味着在相同电流下产生的热量更少，有助于提升整体电源效率并降低散热需求。此外，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具备极快的反向恢复速度（trr通常小于10ns），非常适合用于高频开关电路如同步整流型DC-DC变换器中，有效减少开关过程中的能量损失和电磁干扰（EMI）。
　　TGBR5V45采用SOD-323超小型表面贴装封装，尺寸约为1.7mm x 1.25mm x 1.1mm，极大节省了PCB布局空间，特别适合高密度组装的移动终端产品。该封装具有良好的热传导性能和机械稳定性，支持自动化贴片生产流程，提高了制造效率与一致性。器件符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准的部分要求，具备较强的环境适应能力，在高温、高湿及振动环境下仍能保持稳定工作。同时，产品不含铅和卤素，满足欧盟RoHS指令和IEC 61249-2-21标准，有利于构建环保型电子系统。
　　在电气性能方面，TGBR5V45的最大反向漏电流控制在10μA以内（VR=50V），虽高于普通PN二极管，但在正常工作温度范围内仍处于可接受水平。随着温度升高，肖特基二极管的反向漏电流会有所增加，因此在高温应用场景中需合理设计散热路径以维持长期可靠性。该器件还具备1A的峰值浪涌电流承受能力，能够在瞬态负载变化或上电冲击时提供一定的安全裕度。综合来看，TGBR5V45以其低VF、快速响应、小尺寸和高可靠性，成为现代高效电源管理系统中的理想选择之一。

TGBR5V45主要应用于需要高效率和小体积设计的便携式电子产品电源管理电路中。常见用途包括各类DC-DC升压或降压转换器中的续流二极管或整流元件，尤其是在采用非同步拓扑结构的开关电源中发挥关键作用。在锂电池供电设备如智能手机、智能手表、蓝牙耳机等产品中，该二极管可用于防止电池反接或实现多电源路径之间的隔离。此外，它也广泛用于USB充电接口的过压和反向保护电路，确保后级IC不会因误插或异常电压而损坏。在LED照明驱动方案中，TGBR5V45可作为防倒灌二极管使用，避免关断期间电流回流影响控制芯片稳定性。
　　由于其快速响应特性，该器件同样适用于高频信号整流和检波电路，例如在无线通信模块或射频识别（RFID）系统中处理微弱交流信号。在工业传感器和低功耗物联网（IoT）节点中，TGBR5V45可用于能量采集系统的输出端，将交变感应电压整流为直流并存储于超级电容或微型电池中，从而实现自供电运行。其小型化封装使其非常适合柔性电路板或穿戴式设备的应用场景。另外，在汽车电子领域，尽管该型号并非专用车规型号，但仍可用于部分次级电源管理单元或车载信息娱乐系统的辅助电源中，前提是工作条件在其规格范围内。总之，凡是对空间、效率和响应速度有较高要求的低压直流电源系统，均可考虑采用TGBR5V45作为核心整流元件。

RB520S-40T1G
　　PMMSD5V45
　　BAS40-04W