型号：FS5UM-14A
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：560V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：7.9A
　　脉冲漏极电流（IDM）：31.6A
　　最大功耗（PD）：125W
　　导通电阻（RDS(on) @ VGS = 10V）：0.85Ω
　　导通电阻（RDS(on) @ VGS = 10V, TJ = 125°C）：1.2Ω
　　阈值电压（VGS(th)）：3.0V ~ 4.5V
　　输入电容（Ciss）：1060pF
　　输出电荷（Qg）：52nC
　　开启延迟时间（td(on)）：28ns
　　关断延迟时间（td(off)）：65ns
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220F

FS5UM-14A采用安森美专有的超级结（Super Junction）技术，这一技术通过在硅片内部构建交替的P型和N型柱状结构，显著降低了器件的导通电阻与寄生电容之间的折衷限制，从而实现了在高压应用中极低的RDS(on)值。这种结构使得FS5UM-14A在560V的高耐压下仍能保持0.85Ω的低导通电阻，极大地减少了导通期间的能量损耗，提高了电源系统的整体能效。同时，由于其优化的晶圆设计，该器件在高温工作条件下的RDS(on)增长较为平缓，在125°C时仅为1.2Ω，保证了系统在满载或高温环境下的稳定性。
　　该器件具有较低的总栅极电荷（Qg = 52nC），这有助于减少驱动电路所需的能量，降低驱动损耗，并支持更高的开关频率操作。结合较低的输出电容（Coss）和输入电容（Ciss），FS5UM-14A在高频开关应用中表现出色，尤其适用于现代高频率、高效率的AC-DC和DC-DC转换器设计。此外，其快速的开关时间（开启延迟28ns，关断延迟65ns）进一步减少了开关过程中的交越损耗，提升了动态响应性能。
　　FS5UM-14A的TO-220F封装提供了电气隔离功能，增强了系统的安全性和抗干扰能力，特别适用于需要接地隔离的工业电源和照明系统。该封装还具备良好的散热性能，可通过散热片将热量有效传导至外部环境，延长器件寿命。器件具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击而不损坏，提高了系统鲁棒性。此外，该MOSFET符合RoHS标准，不含铅和有害物质，适用于绿色环保产品设计。

FS5UM-14A广泛应用于多种中高功率开关电源系统中，特别是在需要高效率和高可靠性的场合。典型应用包括通用离线式开关电源（如适配器、充电器）、LED照明驱动电源、工业电源模块、太阳能逆变器辅助电源、家电电源板以及电信设备中的DC-DC转换器。由于其560V的高耐压能力，该器件特别适合用于全球输入电压范围（85VAC ~ 265VAC）的反激式（Flyback）或准谐振（Quasi-Resonant）拓扑结构中作为主开关管使用。
　　在LED照明领域，FS5UM-14A可用于恒流驱动电源，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高能效并减少发热，延长灯具使用寿命。在工业自动化设备中，该器件可用于电机控制电路中的功率开关部分，提供稳定的开关性能和良好的热管理能力。此外，在不间断电源（UPS）和电池管理系统中，FS5UM-14A也可作为关键的功率切换元件，确保系统在不同工作模式间的平稳切换。
　　由于其具备电气隔离的TO-220F封装，FS5UM-14A在需要安全隔离的设计中具有独特优势，例如医疗设备电源、测试仪器和高精度测量系统等对电气安全要求较高的应用场景。其高抗扰能力和稳定性也使其适用于电磁干扰较严重的工业环境。总之，FS5UM-14A凭借其高性能参数和可靠的封装设计，成为多种中高压功率转换应用中的理想选择。

FSL560N10A
　　STP5NK60ZFP
　　IPD50N50C3
　　TK20A50U