TGA4525-SM 是一款由 TriQuint(现为 Qorvo)制造的高功率 GaN(氮化镓)射频功率晶体管,采用表面贴装封装(SMT)技术。该器件专为需要高线性度和高效率的无线基础设施应用而设计,例如蜂窝基站、WiMAX 和其他通信系统中的功率放大器模块。TGA4525-SM 具有高增益、高效率和高耐用性,适合在高频段(如 L 波段和 S 波段)下运行。其封装设计便于自动化装配,提高了制造效率,并降低了系统成本。
频率范围:DC-6000 MHz
输出功率:25 W(典型值)
工作电压:+28 V
增益:>20 dB(典型值)
效率:>60%
输入驻波比(VSWR):<2.0:1
封装类型:表面贴装(SMT)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
TGA4525-SM 是一款 GaN 射频功率晶体管,具备出色的高功率密度和高效率特性,适合用于现代无线通信系统中的高线性度放大器设计。
该器件采用了先进的氮化镓工艺技术,具有优异的热稳定性和长期可靠性,能够在恶劣的环境条件下稳定运行。
其表面贴装封装(SMT)设计使得该器件易于集成到 PCB 板上,减少了传统金属封装器件所需的复杂装配流程,提高了生产效率。
由于其宽频带操作能力(DC 至 6 GHz),TGA4525-SM 可广泛应用于多种通信标准,如 GSM、WCDMA、LTE、WiMAX 等。
该器件还具备良好的输入匹配特性(典型 VSWR < 2:1),降低了对前级驱动电路的要求,简化了系统设计。
此外,TGA4525-SM 的高效率特性(>60%)使其在高功率输出时具有较低的功耗,有助于降低系统散热需求和整体功耗,提高系统能效。
器件在 +28V 电压下工作,输出功率可达 25W,增益大于 20dB,适用于多频段和宽带应用。
TGA4525-SM 主要用于无线通信基础设施中的射频功率放大器设计,适用于各种蜂窝通信系统,如 GSM、CDMA、WCDMA、LTE、5G 以及其他宽带通信系统。
它也适用于 WiMAX、WiFi 6E 和其他高性能无线通信系统中的高功率放大器模块。
此外,该器件可应用于测试设备、工业控制系统、雷达和航空航天通信系统等需要高可靠性和高功率输出的领域。
由于其宽频带特性,TGA4525-SM 也适合用于多频段或多标准基站和终端设备中的通用功率放大器设计。
在射频能量应用方面,该器件也可用于射频加热、等离子体发生器和工业射频电源系统等新兴领域。
TGF2525-SM, TGA4517-SM