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IS43DR81280B-25DBLI 发布时间 时间:2025/9/1 10:20:25 查看 阅读:10

IS43DR81280B-25DBLI 是一颗由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为 128K x 8 位(即 1Mbit),采用高速异步接口,适合需要快速读写操作的应用场景。该芯片封装形式为 54-TSOP(Thin Small-Outline Package),具有低功耗、高可靠性和宽工作温度范围等特点,适用于工业控制、通信设备、消费电子以及车载系统等领域。

参数

容量:128K x 8 位
  电压:3.3V
  访问时间:25ns
  封装类型:54-TSOP
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据宽度:8 位
  引脚数量:54
  工作电流:最大 200mA(典型值)
  待机电流:最大 10mA
  接口类型:异步

特性

IS43DR81280B-25DBLI 的核心特性之一是其高速访问时间,达到 25ns,使得该芯片能够在高频操作环境下提供稳定的性能,满足高速数据缓存和实时控制需求。其异步接口设计无需时钟同步,简化了电路设计,降低了系统复杂性。
  此外,该芯片采用了低功耗 CMOS 工艺制造,在运行和待机模式下均具有较低的功耗表现,有助于提高系统的能效。其宽工作温度范围(-40°C 至 +85°C)使其适用于各种严苛环境下的工业和汽车应用。
  IS43DR81280B-25DBLI 提供了多种控制信号,包括片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE),支持灵活的读写操作模式。该芯片还具备高抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中保持稳定的数据传输性能。

应用

IS43DR81280B-25DBLI 被广泛应用于多种嵌入式系统和电子设备中。在工业自动化领域,它常用于 PLC(可编程逻辑控制器)、人机界面(HMI)和测量仪器中的高速缓存或临时数据存储模块。
  在通信设备中,该芯片可用于路由器、交换机和基站模块中的数据缓冲和快速访问存储单元,以提高系统响应速度和数据处理能力。
  同时,该芯片也适用于消费类电子产品,如智能家电、游戏机和多媒体播放器,作为临时存储运行数据的媒介。
  由于其工业级温度范围和高可靠性,IS43DR81280B-25DBLI 也被用于汽车电子系统中,例如车载导航、仪表盘控制系统和远程信息处理系统等。

替代型号

IS43DR81280B-25DBLI 的替代型号包括 IS43DR81280B-25DALL、IS43DR81280B-25DBLF、CY62148E

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IS43DR81280B-25DBLI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格242 : ¥60.13413托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态不适用于新设计
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间400 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商器件封装60-TWBGA(8x10.5)