时间：2025/8/16 0:14:18
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TGA2976-SM 是一款由 Qorvo 公司生产的高功率 GaN（氮化镓）射频晶体管，适用于高频和高功率应用。该器件采用先进的氮化镓技术，具有出色的热稳定性和效率，广泛应用于无线通信基础设施、雷达系统、测试设备和工业控制等领域。
频率范围：2.7 GHz - 3.5 GHz
输出功率：100 W（典型值）
增益：15 dB（典型值）
效率：超过60%
工作电压：+28 V
封装类型：表面贴装（Surface Mount）
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
TGA2976-SM 具备多项先进特性，使其成为高功率射频应用的理想选择。首先，基于 GaN 技术的晶体管结构提供了优异的功率密度和效率，能够在高频段下稳定运行，满足现代通信系统对高数据速率和高带宽的需求。其次，该器件具有良好的热性能，低热阻设计确保在高功率操作下仍能保持较低的结温，从而提高器件的可靠性和寿命。
此外，TGA2976-SM 采用了表面贴装封装技术，便于在高密度 PCB 设计中实现自动化装配，同时提供良好的射频性能和机械稳定性。其输入驻波比（VSWR）控制在较低水平，有助于减少信号反射，提升系统的整体性能。该器件还具备良好的抗失配能力，能够在不同负载条件下保持稳定的输出功率和效率。
在设计方面，TGA2976-SM 优化了输入和输出匹配网络，简化了外部电路的设计需求，降低了系统集成的复杂度。它适用于多种调制格式，包括 OFDM、QAM 和 CDMA，能够广泛应用于 LTE、WiMAX、5G 基站、军事通信和工业测试设备等领域。
TGA2976-SM 主要用于需要高功率、高频率和高效率的射频系统中。典型应用包括蜂窝通信基站（如 LTE 和 5G）、无线基础设施、雷达系统、测试与测量设备、工业加热和医疗射频设备等。其高可靠性和优异的电气性能使其在苛刻环境中也能稳定运行，适用于对性能要求极高的军事和工业应用。
TGA2974-SM, TGF2976-SM
