TGA2513-SM 是一款由 TriQuint(现为 Qorvo)制造的 GaAs(砷化镓)高电子迁移率晶体管(HEMT)射频功率放大器模块,适用于无线基础设施和通信系统。该器件工作在 2.3 GHz 至 2.7 GHz 的频率范围内,具备高线性度和输出功率能力,适用于 LTE、WiMAX、WCDMA 等多种通信标准。TGA2513-SM 采用表面贴装封装(SMD),便于自动化装配和高集成度设计。
工作频率:2.3 GHz 至 2.7 GHz
输出功率:30 dBm(典型值)
增益:25 dB(典型值)
电源电压:+28 V
静态工作电流:120 mA(典型值)
封装类型:表面贴装(SMD)
输入/输出阻抗:50 Ω(标称)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
TGA2513-SM 采用 GaAs HEMT 技术,具有高功率附加效率(PAE)和出色的线性度表现,非常适合用于多载波无线通信系统中的高线性功率放大应用。该模块内置输入匹配网络和输出匹配网络,简化了外部电路设计,降低了系统复杂度。此外,该器件具备良好的热稳定性和长期可靠性,适合在严苛的工业环境中运行。
该放大器模块还具备良好的回波损耗性能和低失真特性,能够在较高输出功率下维持信号的完整性,从而提高系统整体的信号质量。TGA2513-SM 的 SMD 封装结构支持高密度 PCB 布局,并具有良好的散热性能,确保器件在高负载条件下仍能稳定工作。
为了进一步提升系统设计的灵活性,TGA2513-SM 还支持偏置电压调节,用户可根据具体应用需求调整静态工作点,以实现最佳的线性度或效率平衡。
TGA2513-SM 主要应用于无线基站、宏蜂窝/微蜂窝基站、分布式天线系统(DAS)、WiMAX 基站、点对点微波通信系统以及测试和测量设备中。由于其高线性度和宽频率覆盖范围,该模块也适用于多标准无线电平台和软件定义无线电(SDR)系统,可满足不同通信协议的放大需求。
在 4G LTE 和 5G 前传网络中,TGA2513-SM 可作为 O-RU(O-RAN 单元)中的功率放大器使用,提供稳定的射频输出功率。同时,该器件也适用于工业控制、远程监控以及宽带无线接入系统等高性能 RF 放大场景。
TGA2553-SM, TGF2551-SM, CHA2063-99F