工作频率范围：0.1 GHz至6 GHz
　　插入损耗：典型值0.3 dB（最大0.5 dB）
　　隔离度：≥40 dB（典型值）
　　回波损耗：≥25 dB
　　工作电压：2.5V至5.5V
　　控制接口：CMOS兼容
　　封装形式：16引脚QFN
　　功率处理能力：+34 dBm（连续波）

FDD8784的主要特性包括宽频率覆盖范围，适用于多种无线通信标准如GSM、WCDMA、LTE、Wi-Fi 6等。其低插入损耗和高隔离度确保了射频信号路径的高质量传输和最小的信号干扰。该芯片内置控制逻辑，支持通过简单的数字信号进行切换操作，兼容多种主控平台。此外，其高线性度设计使其在高功率应用中也能保持出色的信号完整性。FDD8784的封装小巧，适合高密度PCB布局，并具有良好的热稳定性和抗干扰能力。
　　该芯片还具备快速切换能力，切换时间通常小于100 ns，满足高速通信系统的需求。其宽电压供电范围（2.5V至5.5V）提高了系统设计的灵活性，并支持低功耗模式，适用于便携式和电池供电设备。内置的静电放电（ESD）保护电路增强了芯片的可靠性和耐用性。

FDD8784常用于无线基站、Wi-Fi 6接入点、射频测试仪器、天线多路复用器、MIMO系统、5G前端模块以及工业通信设备中。其高可靠性与宽频性能也使其适用于军事和航空航天领域的射频信号控制应用。

FDD8784的替代型号包括HMC642、PE42642、以及RF1271。这些型号在性能参数和封装形式上具有相似特性，可根据具体设计需求进行选型替代。