时间：2025/6/27 17:11:07
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TGA2507-EPU是一款高性能的砷化镓（GaAs）假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT），专为Ka波段应用设计。该器件在高频环境下表现出优异的增益、低噪声和高输出功率性能，广泛应用于航空航天、卫星通信和雷达系统等领域。
该芯片采用先进的制造工艺，确保其在极端环境下的可靠性和稳定性。TGA2507-EPU通常以裸片形式提供，便于集成到复杂的射频模块中。
频率范围：18 GHz 至 38 GHz
增益：大于14 dB
输出功率（P1dB）：大于26 dBm
噪声系数：小于4.5 dB
电源电压：2.5 V 至 6 V
静态电流：约150 mA
封装形式：裸芯片
TGA2507-EPU具有卓越的射频性能，在Ka波段内表现出色。其关键特性包括：
1. 高线性度和效率，适用于点对点无线电和宽带放大器。
2. 稳定的工作温度范围（-55°C至+100°C），使其适合恶劣环境下的部署。
3. 超低噪声设计，能够满足高灵敏度接收机的需求。
4. 小尺寸裸芯片设计，方便与其他组件集成，构建紧凑型系统。
5. 可靠性高，通过了多项军工级测试标准。
这款芯片主要应用于需要高性能射频信号处理的领域，具体包括：
1. 卫星通信终端中的射频前端模块。
2. 军用雷达系统的收发组件。
3. 点对点微波通信链路的功率放大器。
4. 测试与测量设备中的信号生成与放大单元。
5. 太空探索任务中的数据传输系统。
TGA2506-SM
