TG110-AEX50N5LF是一款高性能、低噪声的射频(RF)放大器芯片,专为高频率通信系统和射频前端模块设计。该器件采用了先进的GaAs(砷化镓)工艺技术,能够在高频段(如GHz级别)提供优异的信号增益和线性性能。TG110-AEX50N5LF广泛应用于无线基础设施、微波通信、卫星通信、测试设备以及军事和航空航天系统等领域。该芯片采用了表面贴装封装技术,便于在现代高频PCB设计中集成。
工作频率范围:DC至6 GHz
增益:约20 dB(典型值)
噪声系数:约0.5 dB(典型值)
输出IP3(三阶交调截点):约+35 dBm
电源电压:5V
电流消耗:约150 mA
封装类型:5引脚SOT-89
工作温度范围:-40°C至+85°C
TG110-AEX50N5LF具备出色的低噪声系数,使其在高灵敏度接收系统中表现出色。其典型噪声系数仅为0.5 dB,确保了在弱信号环境下的稳定性能。此外,该放大器具有高达20 dB的增益,能够在不引入过多噪声的情况下显著提升信号强度。该芯片的输出IP3高达+35 dBm,表明其具有良好的线性度,能够处理较强的输入信号而不产生显著的失真或互调干扰。TG110-AEX50N5LF采用GaAs工艺,确保了在高频段的稳定性能,并具备良好的热稳定性和抗干扰能力。其5引脚SOT-89封装形式不仅节省空间,还便于在高频电路中进行热管理和阻抗匹配设计。此外,该芯片的宽频带响应使其适用于多种频段的通信系统,包括Wi-Fi、蜂窝通信、微波链路等。
在实际应用中,TG110-AEX50N5LF的电源电压为5V,典型电流消耗为150 mA,功耗较低,适合对功耗敏感的设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C,能够适应各种严苛的环境条件,确保系统在高温或低温下的稳定运行。
TG110-AEX50N5LF主要用于高频通信系统中的低噪声放大(LNA)应用。常见应用包括无线基站接收前端、卫星通信地面站、测试仪器(如频谱分析仪、信号发生器)、雷达系统、工业监测设备以及高精度测量仪器。该芯片的宽频带特性和低噪声性能也使其适用于多频段通信设备,例如Wi-Fi 6E、5G毫米波通信、无线回传系统等。此外,TG110-AEX50N5LF还可用于构建高性能的射频传感器和无线传感器网络节点。
HMC414, BGA2709, ATF-54143, TQP3M9015