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BCP5416TA 发布时间 时间:2025/6/5 19:15:28 查看 阅读:6

BCP5416TA 是一款基于 CMOS 工艺制造的高压侧开关驱动芯片,广泛应用于汽车电子和工业控制领域。该器件能够在高电压环境下工作,并具备快速响应、低功耗以及高可靠性的特点。它主要用作 MOSFET 或 IGBT 的驱动器,适用于需要精准电流控制和高效功率转换的应用场景。
  该芯片内置了多种保护功能,例如过流保护、短路保护和欠压锁定(UVLO),确保系统在异常情况下能够安全运行。此外,其封装形式紧凑,适合空间受限的设计环境。

参数

工作电压:6V 至 40V
  输出峰值电流:±2A
  传播延迟:80ns(典型值)
  供电电压范围:4.5V 至 18V
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装形式:SOIC-8

特性

1. 高侧和低侧兼容设计,可直接驱动 N 沟道 MOSFET 或 IGBT。
  2. 内置电荷泵电路,确保栅极驱动电压稳定。
  3. 短路保护功能避免因负载故障导致的损坏。
  4. 支持快速开关操作,降低开关损耗。
  5. 提供 UVLO(欠压锁定)功能以防止不稳定的电源条件影响性能。
  6. 强大的抗噪能力,适合复杂电磁环境下的应用。
  7. 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车级应用。

应用

1. 汽车电子中的电机驱动和继电器控制。
  2. 工业设备中的电磁阀和步进电机驱动。
  3. 开关电源和逆变器中的功率级控制。
  4. LED 驱动器和其他需要高压侧驱动的应用。
  5. 家用电器中用于精密控制的功率管理模块。
  6. 数据通信设备中的信号隔离与增强。

替代型号

BCP5416TAE, BCP5416TAW

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BCP5416TA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 150mA,2V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换150MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BCP5416TATR