时间：2025/7/8 16:10:44
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TFM-150-02-S-D-A是一种高性能的薄膜混合微波集成电路（MIC）器件，专为射频和微波应用设计。该型号属于薄膜混合技术产品系列，采用厚膜与薄膜工艺相结合的方式制造，提供卓越的电气性能、高可靠性和紧凑的设计。其主要功能包括信号放大、滤波或匹配网络等，适用于通信系统、雷达和其他高频电子设备中。
功率等级：150W
工作频率范围：DC-2GHz
输入阻抗：50欧姆
输出阻抗：50欧姆
插入损耗：≤0.5dB
VSWR：≤1.5:1
隔离度：≥30dB
温度范围：-55°C至+125°C
封装形式：表面贴装
尺寸：30mm x 20mm x 5mm
TFM-150-02-S-D-A具有优异的射频性能，能够在宽广的工作频率范围内保持低插入损耗和高隔离度。
其薄膜混合技术确保了良好的稳定性和一致性，即使在极端温度条件下也能表现出色。
此外，该器件采用了紧凑型表面贴装封装设计，有助于减少整体电路板空间占用并简化安装过程。
由于使用了先进的材料和制造工艺，TFM-150-02-S-D-A还具备出色的耐用性和长寿命特点。
这种芯片广泛应用于各种射频和微波领域，如无线通信基站、卫星通信设备、军事雷达系统以及测试测量仪器。
在通信基础设施建设中，它可以作为功率放大器的一部分，提高信号传输效率。
同时，在航空航天行业中，这款芯片也常用于导航和遥感系统中，提供精确稳定的射频信号处理能力。
另外，它还可用于工业科学医疗（ISM）频段设备，如微波加热装置和材料处理系统。
TFM-150-01-S-D-A
TFM-100-02-S-D-A
TFM-200-02-S-D-A
