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GA1210Y222JXEAT31G 发布时间 时间:2025/6/9 17:54:02 查看 阅读:26

GA1210Y222JXEAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适合于需要高效能和高可靠性的电路设计。
  该器件为 N 沟道增强型 MOSFET,通过优化的结构设计,在高频工作条件下表现出优异的效率和稳定性。其封装形式通常为表面贴装类型,便于自动化生产和散热管理。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:2.2mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关时间:10ns
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃

特性

GA1210Y222JXEAT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著降低导通损耗,提高整体系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频操作,适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。
  3. 出色的热稳定性,确保在高负载条件下的可靠运行。
  4. 具备强大的抗雪崩能力,能够在异常情况下保护电路。
  5. 小型化封装设计,节省 PCB 空间并简化布局设计。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
  2. DC-DC 转换器和降压/升压模块。
  3. 电机驱动和工业控制。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
  5. 逆变器和 UPS 不间断电源系统。
  6. 汽车电子中的负载切换和电源管理。

替代型号

IRF840,
  STP160N10,
  FDP150N10AS,
  AO3400

GA1210Y222JXEAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-