时间：2025/7/3 21:08:46
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TFM-130-02-L-D-A 是一种高性能的薄膜电容器，广泛应用于高频电路、滤波器以及信号处理等领域。该型号采用金属化薄膜技术，具有低等效串联电阻(ESR)和低感应特性，确保其在高频条件下的稳定性能。
这种电容器设计用于需要高可靠性和稳定性的应用场景，例如电源滤波、音频设备中的耦合与去耦、射频(RF)电路中的匹配网络等。此外，其紧凑的设计使其非常适合空间受限的应用环境。
类型：薄膜电容器
容量：0.1μF
额定电压：50V
耐压：63V
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
尺寸：13mm x 13mm
封装形式：表面贴装(SMD)
频率特性：适合高达500MHz的高频应用
TFM-130-02-L-D-A 具有出色的频率响应能力，在高频环境下能够维持较低的阻抗。其金属化薄膜结构提供了自我修复功能，从而显著提高了产品的可靠性。
该电容器还具备极低的介质损耗和高精度容量，这使得它在精密电子设备中表现优异。同时，其良好的温度稳定性确保了在极端条件下的一致性表现。
此外，SMD封装形式简化了自动化生产流程，并且增强了抗振动和抗冲击能力，非常适合现代电子产品的需求。
该型号的薄膜电容器适用于多种场景，包括但不限于：
1. 高频滤波器和信号调节电路
2. 射频识别(RFID)设备中的匹配网络
3. 音频放大器的耦合与去耦
4. 数据通信设备中的电源滤波
5. 工业控制系统的高频干扰抑制
6. 医疗设备中的信号调理电路
由于其优秀的电气特性和机械稳定性，TFM-130-02-L-D-A 成为众多高要求应用的理想选择。
TFM-130-02-L-D-B, TFM-130-02-L-D-C
