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IXFN62N80Q3 发布时间 时间:2025/7/19 3:24:40 查看 阅读:14

IXFN62N80Q3是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高性能功率转换应用设计。该器件采用了先进的平面技术,具有卓越的导通和开关性能,适用于工业电源、电机控制、UPS系统、太阳能逆变器和电动车充电系统等高要求的应用场景。IXFN62N80Q3采用TO-247封装形式,具备良好的热管理和高可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(Id):62A
  漏极-源极电压(Vds):800V
  栅极-源极电压(Vgs):±30V
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.16Ω
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXFN62N80Q3具备多项优越的电气和物理特性。首先,其高耐压能力达到800V,能够承受较高的电压应力,适合高功率应用。其次,低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流工作条件下较低的功率损耗,提高了系统的整体效率。此外,该MOSFET具有快速开关特性,减少了开关过程中的能量损耗,从而提升了动态性能。
  在热管理方面,TO-247封装提供了良好的散热能力,使得该器件能够在高温环境下稳定运行。其高栅极绝缘强度(±30V)也增强了器件在复杂电磁环境中的可靠性和抗干扰能力。IXFN62N80Q3还具有较强的抗雪崩能力,能够在极端工作条件下提供额外的保护。
  这款MOSFET的设计优化了导通和开关损耗之间的平衡,使其在各种功率转换电路中表现出色。此外,它还具有良好的短路耐受能力,能够在突发故障条件下提供额外的安全保障。

应用

IXFN62N80Q3广泛应用于多个高功率电子系统中。在工业领域,它常用于开关电源(SMPS)、电机驱动器和逆变器中作为主功率开关。在可再生能源领域,该器件适合用于太阳能逆变器和风力发电系统的功率转换模块。此外,IXFN62N80Q3也适用于不间断电源(UPS)系统、电动车充电设备以及焊接机等高功率设备中。
  在消费类电子产品中,该MOSFET可用于高功率LED照明驱动器和大功率家用电器的电源管理模块。其优异的性能也使其成为汽车电子系统中的理想选择,如车载充电器和电池管理系统(BMS)。IXFN62N80Q3还可用于电能质量调节设备,如有源滤波器和谐波抑制装置。

替代型号

STF62N80K5, SPW62N80CFD7, IPW60R800CFD

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IXFN62N80Q3参数

  • 特色产品Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs
  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭FET
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C49A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C140 毫欧 @ 31A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)6.5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs270nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds13600pF @ 25V
  • 功率 - 最大960W
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B
  • 包装管件